IR 推出為 D 類(lèi)應用優(yōu)化的汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類(lèi)音頻系統輸出級等高頻開(kāi)關(guān)應用。

　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車(chē) D 類(lèi)音頻系統的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營(yíng)，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來(lái)改善總諧波失真 (THD) 和提高效率，而低二極管反向恢復電荷 (Qrr) 則進(jìn)一步改善了總諧波失真，降低了電磁干擾 (EMI) 。

　　AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封裝尺寸比 SO-8 小，更能夠為沒(méi)有散熱片的 8Ω 負載提供每通道 100W 的功率，由此可以提供非常緊湊的 D 類(lèi)解決方案，是節省多通道電路板空間的理想選擇。AUIRF7675M2 中罐器件的封裝尺寸比 DPak 小54% ，能夠為沒(méi)有散熱片的 4Ω 負載提供每通道 250W 的功率，使其非常適合 D 類(lèi)音頻系統的亞低音輸出級。

　　IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“新款 DirectFET®2 器件是對之前推出的 AUIRF7665S2 的補充，為設計師提供了適用 D 類(lèi)音頻系統不同功率等級的替代額定電壓和導通電阻。”

　　正如所有的 DirectFET® 產(chǎn)品一樣，新器件提供了最小的熱阻抗以及寄生電阻和電感，能夠提供出色的功率密度和雙面冷卻效率。

　　新器件符合 AEC-Q101 標準，是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。

　　產(chǎn)品規格

　　數據表、應用說(shuō)明和認證標準可瀏覽 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。IR 還準備了 Spice 和 Saber 模型供索取。