中國半導體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現“跨越趕超”
“中國半導體產(chǎn)業(yè)有著(zhù)良好的基礎,如果要趕超世界先進(jìn)水平,必須要找準方向、加強合作。”現任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪(fǎng)時(shí)說(shuō)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/111201.htm出生于甘肅蘭州的馬佐平現任美國耶魯大學(xué)教授、電機系主任,當天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導體科學(xué)領(lǐng)域做出重大貢獻的世界知名專(zhuān)家,他對中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿(mǎn)期盼。
馬佐平說(shuō):“事實(shí)上,參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設廠(chǎng)生產(chǎn)相變存儲器的可能性,而這在世界范圍內都屬于一個(gè)全新的課題。”
相變存儲器是當今全球半導體產(chǎn)業(yè)中炙手可熱的領(lǐng)域之一,作為一種新型的存儲設備,這一產(chǎn)品有望取代目前普遍使用的“閃存”。馬佐平說(shuō),現在全球有望實(shí)現量產(chǎn)相變存儲器的企業(yè)寥寥可數,而市場(chǎng)空間又格外巨大,“中國企業(yè)躋身其間正當其時(shí)。”
在馬佐平看來(lái),對于基礎良好、希望趕超世界先進(jìn)水平的中國半導體產(chǎn)業(yè)而言,相變存儲器是一個(gè)“很好的契機”。他說(shuō):“中國不能花費大量資源去做別人做了幾十年的東西,這樣是拼不過(guò)的,別人是數千人的精英團隊做了幾十年,很難趕得上。中國企業(yè)應當選擇更高的起點(diǎn),實(shí)現跨越式趕超。”
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