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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 相變存儲器

新存儲設備,替代DRAM和NAND

  • 韓國研究人員團隊開(kāi)發(fā)了一種新型存儲設備,該設備可用于取代現有內存或用于實(shí)現下一代人工智能硬件的神經(jīng)擬態(tài)計算。
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相變存儲器的工作原理和最新的研究進(jìn)展

  •   近年來(lái),非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展,為計算機系統的存儲能效提升帶來(lái)了新的契機,采用新型非易失性存儲技術(shù)來(lái)替代傳統的存儲技術(shù)可以適應計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內外研究者的廣泛關(guān)注,本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內外最新研究進(jìn)展?! ∫?、相變存儲器的工作原理  相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, 簡(jiǎn)稱(chēng)PCRAM)的基本結構如圖1所示,相變存儲器的
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帶你了解一下什么叫相變存儲器

  •   近年來(lái),非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展,為計算機系統的存儲能效提升帶來(lái)了新的契機,采用新型非易失性存儲技術(shù)來(lái)替代傳統的存儲技術(shù)可以適應計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內外研究者的廣泛關(guān)注,本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內外最新研究進(jìn)展?! ∫?、相變存儲器的工作原理  相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, 簡(jiǎn)稱(chēng)PCRAM)的基本結構如圖1所示,相變存儲器的
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國產(chǎn)相變存儲器開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化應用

  • 潛心相變存儲器研究15年,中科院上海微系統所研究院宋志棠團隊在130納米技術(shù)節點(diǎn)相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來(lái),通過(guò)和珠海艾派克微電子有
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國產(chǎn)相變存儲器如何開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化應用?

  • 潛心相變存儲器研究15年,中科院上海微系統所研究院宋志棠團隊在130納米技術(shù)節點(diǎn)相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來(lái),通過(guò)和珠海艾派克微電子有
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0.7納秒!相變存儲器速度新極限

  •   隨著(zhù)數字全球化,爆炸式增長(cháng)的信息對數據的存儲與傳輸提出了極大的挑戰,而且目前商用計算體系架構內各存儲部件,即緩存(SRAM)、內存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大,其間的數據交換效率也已成為了電子設備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫(xiě)速度快、能耗低、非易失(即斷電后數據不丟失)等特點(diǎn)的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。        近日,美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
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相變存儲器(PCM)技術(shù)基礎

  • 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備,它利用材料的可逆轉的相變來(lái)存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在,這些狀態(tài)都稱(chēng)為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進(jìn)行工作的。本文將介紹相變存儲器的基本技術(shù)與功能。
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相變存儲器驅動(dòng)電路的設計與實(shí)現

  • 介紹了一種新型的相變存儲器驅動(dòng)電路的基本原理,設計了一種依靠電流驅動(dòng)的驅動(dòng)電路,整體電路由帶隙基準電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結構用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設計,并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標準CMOS 工藝實(shí)現。
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PCM是什么

  •   導讀:PCM是什么?其實(shí)就是變相存儲,初次聽(tīng)到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì )感到比較陌生吧,想了解更多姿勢的朋友們快來(lái)看看吧。 1.PCM是什么--簡(jiǎn)介   PCM是Phase Change Memory的簡(jiǎn)稱(chēng),中文名稱(chēng)為相變存儲器,它利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導電性差異來(lái)存儲數據的。PCM是一種非易失存儲設備,它利用材料的可逆轉的相變來(lái)存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在,這些狀態(tài)都稱(chēng)為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電
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寧波鄞州欲打造成“中國芯片之城”

  •   近日,浙江省寧波市鄞州區投資約20億美元成功引進(jìn)簽約美國全芯科技有限公司相變存儲器項目,致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售具有完整知識產(chǎn)權的存儲芯片,建成后預計年營(yíng)收可達數十億元人民幣,并有望助推該區打造成“中國芯片之城”。   該項目是通過(guò)鄞州區一事一議招引渠道引進(jìn)的。據悉,鄞州區為提高招才引智和招商引資效率,特設一事一議招引渠道,先后引進(jìn)了一批高端人才項目。除一系列的配套優(yōu)惠政策之外,在項目資金扶持方面合計投入近4500萬(wàn)元。
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相變存儲器:基本原理與測量技術(shù)

  • 相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存,因為它不僅比閃存速度快得多,更容易縮小到較小尺寸,而且復原性更好,能夠實(shí)現一億次以上的擦寫(xiě)次數。本文
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相變存儲器PCM應用智能電表設計方案

  • 5月初,美光斥資12億美元收購恒憶,完成收購后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠(chǎng)。對于這么大的收購舉動(dòng),有傳言,是英特爾在后面起到的推動(dòng)作用,因為三星的快速崛起,不想一家獨大的局面在存
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IBM研發(fā)出最新多位相變存儲器 提高了數據存儲的可靠性

  • IBM的科學(xué)家演示了最新的多位相變存儲器,其每個(gè)存儲格都能長(cháng)時(shí)間可靠地存儲多個(gè)字節的數據。最新技術(shù)讓...
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智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM

  • 5月初,美光斥資12億美元收購恒憶,完成收購后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠(chǎng)。對于這么大的收購舉動(dòng),有傳言,是英特爾在后面起到的推動(dòng)作用,因為三星的快速崛起,不想一家獨大的局面在存
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我國研制成功相變存儲器芯片

  •   我國第一款具有自主知識產(chǎn)權的相變存儲器(PCRAM)芯片在中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所研制成功,打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長(cháng)期被國外壟斷的局面,產(chǎn)業(yè)化前景可觀(guān)。   
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相變存儲器介紹

相變存儲器(phase change memory),簡(jiǎn)稱(chēng)PCM,利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大 的導電性差異來(lái)存儲數據的。 相變存儲器-物理變化 初次聽(tīng)到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì )感到比較陌生.其實(shí),相(phase)是物理化學(xué)上的一個(gè)概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相),液態(tài)水(液相)以及固態(tài)水 [ 查看詳細 ]

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