半導體制造：又逢更新?lián)Q代時(shí)

　　Fabless擇機而動(dòng)

　　處理器、FPGA與基帶處理，這三個(gè)能夠完成獨立處理功能的半導體產(chǎn)品還有什么共同點(diǎn)?那就是必須一直堅持緊跟工藝革新的步伐，否則就將面對可能掉隊的危險。這三種產(chǎn)品其實(shí)并不一定是采用最領(lǐng)先的制程就能制造出最符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品，但面對著(zhù)越來(lái)越激烈的半導體產(chǎn)品競爭，三大產(chǎn)品線(xiàn)已經(jīng)不得不咬緊牙關(guān)，把工藝緊跟到底。在眾多Foundry已經(jīng)公布28nm路線(xiàn)圖的基礎上，目前只有這三大應用的Fabless公司高調公布了自己的28nm產(chǎn)品戰略。

　　處理器

　　Intel早已在2009年就開(kāi)始32nm生產(chǎn)，作為目前唯一一個(gè)宣稱(chēng)要堅持到底的IDM廠(chǎng)商，Intel一直將工藝作為其產(chǎn)品的核心競爭力之一。而另一家處理器廠(chǎng)商AMD則還在與自己的代工廠(chǎng)GLOBALFOUNDRIES(GF)進(jìn)行相關(guān)工藝開(kāi)發(fā)，預計今年下半年可以推出32(28)nm的工藝。通用處理器IP廠(chǎng)商MIPS同樣已經(jīng)開(kāi)始推出基于全新制程節點(diǎn)的參考設計提供給客戶(hù)。

　　便攜處理器方面，GF和ARM共同發(fā)布了其尖端片上系統平臺技術(shù)的新的細節，該平臺技術(shù)專(zhuān)門(mén)針對下一代無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品和應用。這一新的平臺包括兩種GF的工藝：針對移動(dòng)和消費應用的28nm超低功耗(SLP)工藝和針對要求最高性能應用的28nm高性能(HP)工藝，預計GF將在2010年下半年啟動(dòng)制造生產(chǎn)。相較于以往的40/45nm技術(shù)， 28nm工藝及其Gate-First HKMG技術(shù)能夠提供卓越的性能收益。根據目前的預計，28nm HKMG在相同的溫度范圍(thermal envelope)內提高約40%的計算性能，改善移動(dòng)設備的應用性能，強化多任務(wù)處理能力?？蛻?hù)在廣泛采用的Gate-First方法中的獲益，現在也能在 HKMG工藝中取得。與40/45nm工藝相比，28nm HKMG工藝的結合能夠提升30%的功耗效率，并將待機電池壽命延長(cháng)了100%。

　　FPGA

　　Altera公司在今年2月初舊已經(jīng)確定2010年將攜手TSMC推出自己的28nmFPGA產(chǎn)品，同時(shí)在即將推出的28nm中采用的創(chuàng )新技術(shù)：嵌入式HardCopy模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式28/Gbs收發(fā)器，這些技術(shù)將極大的提高下一代Altera FPGA的密度和I/O性能，并進(jìn)一步鞏固相對于A(yíng)SIC和ASSP的競爭優(yōu)勢。Altera總裁、主席兼CEO John Daane評論說(shuō)：“隨著(zhù)向下一工藝節點(diǎn)的邁進(jìn)，Altera的這些創(chuàng )新技術(shù)將引領(lǐng)業(yè)界超越摩爾定律，解決帶寬挑戰，同時(shí)滿(mǎn)足成本和功耗要求。”

　　賽靈思可編程平臺開(kāi)發(fā)全球高級副總裁 Victor Peng 指出：“在 28 nm這個(gè)節點(diǎn)上，靜態(tài)功耗是器件總功耗的重要組成部分，有時(shí)甚至是決定性的因素。由我們選擇了TSMC和三星的高介電層/金屬柵 (HKMG)高性能低功耗工藝技術(shù)，以使新一代 FPGA 能最大限度地降低靜態(tài)功耗，確保發(fā)揮28 nm技術(shù)所帶來(lái)的最佳性能和功能優(yōu)勢。”賽靈思28nm工藝技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品將于 2010 年第四季度上市。