三星今年將推"相變內存" 取代手機閃存卡

　　三星計劃于今年晚些時(shí)候推出相變內存卡(PCM)，旨在取代當前手機等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。

　　相變內存由相變材料制成，通過(guò)加熱材料形式來(lái)存儲數據。與閃存存儲相比，相變內存存儲數據時(shí)更加省電，預計可延長(cháng)電池續航時(shí)間20%。

　　在速度方面，相變內存的優(yōu)勢更加明顯，其存取數據的速度比閃存快9倍。三星表示，相變內存模塊預計于今年晚些時(shí)候下線(xiàn)，最初的容量為512MB。三星預計，對于多種電子產(chǎn)品，相變內存最終取代當前的閃存技術(shù)。

　　值得一提的是，相變內存存儲數據時(shí)所需溫度在150至600攝氏度之間，盡管該溫度對于電子產(chǎn)品而言是安全的，但對于經(jīng)常把手機揣著(zhù)兜里的用戶(hù)而言可能會(huì )有些顧慮。