DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

　　據彭博(Bloomberg)報導，海力士執行長(cháng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。

　　根據研究機構iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，

　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND Flash存儲器產(chǎn)能，同時(shí)，2010年快閃存儲器市場(chǎng)供需將平衡。

　　此外，根據韓國研究機構調查，2010年全球個(gè)人計算機(PC)需求將成長(cháng)16.4%，受惠個(gè)人計算機需求回升，海力士可望繳出2006年以來(lái)最佳的年度獲利。

　　金鐘甲表示，2010年存儲器產(chǎn)業(yè)表現將相當好，很多因素導致需求增加，然供給的成長(cháng)幅度有限，將導致整體產(chǎn)業(yè)供不應求。

　　受惠存儲器價(jià)格回升，海力士將利用營(yíng)收好轉時(shí)減輕債務(wù)負擔，2010年計劃償付1兆韓元(約8.88億美元)的債務(wù)。海力士目前約擁有7兆韓元的計息債務(wù)，金鐘甲表示，海力士的目標為償付顯著(zhù)比率的債務(wù)，同時(shí)，維持足夠資金投資于需要項目。