歐洲人重注FDSOI真的只是為了多一種選擇？

歐洲，在半導體版圖上似乎是個(gè)尷尬的存在，曾經(jīng)也算是半導體最發(fā)達的地區，也曾經(jīng)在全球半導體市場(chǎng)中三分天下有其一，西門(mén)子半導體，飛利浦半導體拿出來(lái)也算是一代功勛，但是現在整個(gè)歐洲的半導體市場(chǎng)卻日漸沒(méi)落，即使有ARM這樣的公司成為業(yè)內領(lǐng)袖，依然掩飾不住歐洲半導體的集體萎靡。

歐盟一定希望重振半導體市場(chǎng)，至少恢復到三分天下有其一的程度，縱然做不成絕對領(lǐng)袖，也要偏安一隅，有點(diǎn)自己拿得出手炫耀的技術(shù)和指點(diǎn)江山的資歷。遺憾的是，歐洲半導體廠(chǎng)的排名一路下滑，不僅在半導體的設計方面顯得有些遲滯，而在半導體更為關(guān)鍵的制造技術(shù)上，就算IMEC號稱(chēng)全球工藝研究權威，但是無(wú)論是Intel還是IBM，亦或三星和臺積電，在工藝的研發(fā)上早已站在更有利的超越位置上，即使歐洲依然有自己最先進(jìn)的半導體工廠(chǎng)，卻也分不清究竟該是歐洲的還是美國甚至中東的控制權。

所以，雖然現在歐洲還有多條Fab在運作，但真正稱(chēng)得上世界頂級的不外乎GF在德累斯頓的AMD前工廠(chǎng)，以及ST在法國格勒諾布爾的自有生產(chǎn)線(xiàn)。而對于歐洲人來(lái)說(shuō)，再去和美國、中國臺灣或者韓國拼FINFET，拼3D（固然是大勢所趨），但是總有跟人家屁股后面跑的尷尬，再說(shuō)就算跟風(fēng)就能成功么？對歐盟這樣一個(gè)希望全方位對抗美國和亞洲的一體化組織而言，擁有自己的半導體工藝，或者說(shuō)擁有自己的半導體優(yōu)勢，就是一個(gè)現實(shí)意義與象征意義都非常重要的工程，也恰恰因此，ST才被賦予更多堅守IDM的責任，除了Intel和存儲器廠(chǎng)商，ST是目前唯一一個(gè)堅持走到28nm的企業(yè)，這背后就是歐盟的意愿作為后盾。

FD-SOI，這個(gè)面對中國媒體采訪(fǎng)時(shí)，ST CEO在紙上默默寫(xiě)出的技術(shù)名詞，也恰恰是歐盟希望標新立異的一顆種子。官方給出的介紹：FD-SOI是下一代低功耗、高性能半導體制程，可取代標準的（“bulk”）硅和FinFET技術(shù)。首批FD-SOI系統級芯片預計將被用于消費電子、高性能計算機和網(wǎng)絡(luò )設備。FD-SOI代表“全耗盡型絕緣層上硅”。這項技術(shù)可改進(jìn)晶體管溝道的靜電控制，提高晶體管性能和能效。準確地講，采用超薄體埋氧層（UTBB）FD-SOI，可動(dòng)態(tài)調整晶體管性能，在晶體工作過(guò)程中選擇低功耗或高速度。

通俗點(diǎn)，基于平面的 FD-SOI無(wú)法媲美3D FINFET在綜合性能上的優(yōu)勢，但是卻可以通過(guò)選擇性的設計，實(shí)現在成本、功耗或性能以及設計簡(jiǎn)單化方面擁有其中一個(gè)或兩個(gè)的優(yōu)勢，比較直接的例子是瀕臨破產(chǎn)的STE在今年1月發(fā)布的L8580，借助FDSOI技術(shù)，把標稱(chēng)值1.8G的ARM核提升到2.5G，500M的GPU提升到600M，表面上看指標沖上去的原因就是工藝的革新的結果。

雖然ST的高管已經(jīng)明確表示FDSOI一定會(huì )向14nm進(jìn)發(fā)，最近兩天，有條新聞似乎證明FDSOI確實(shí)會(huì )繼續前行，而其中的部分費用不會(huì )只有ST一家承擔。而歐盟的大力推進(jìn)，似乎說(shuō)明歐洲人希望在標準的3D FINFET工藝之外，擁有一點(diǎn)自己的特殊化，一旦FINFET工藝的導入不夠理想，至少歐洲人手上還有一項技術(shù)可以應對14nm的生產(chǎn)調整，并且在工藝和產(chǎn)品性能上，不會(huì )輸給FINFET很多，而這項計劃也可以有助于IMEC獲得半導體更多的技術(shù)研發(fā)話(huà)語(yǔ)權。

以我所見(jiàn)，多一種選擇沒(méi)有錯，但是真的押寶在FDSOI線(xiàn)上，對ST來(lái)說(shuō)是一場(chǎng)不小的賭博，就算賭注有人埋單，輸掉的時(shí)間和機遇怎么計算，對于現在內外交困的ST來(lái)說(shuō)，拿一個(gè)似乎完全沒(méi)有FINFET技術(shù)優(yōu)秀的技術(shù)來(lái)進(jìn)行賭博，輸贏(yíng)的概率可想而知，或許再多說(shuō)一點(diǎn)，IDM的尊嚴真的那么重要到超越企業(yè)的未來(lái)？當然，我說(shuō)的不是他們自己的MEMS，而是數字芯片的FDSOI。

至于歐盟，支持一項自己主導的技術(shù)無(wú)可厚非，組織部分機構和政府出錢(qián)研發(fā)也沒(méi)錯，但是看看后面的那些企業(yè)名單，除了ST之外，你真的覺(jué)得還有人能站出來(lái)?yè)螡M(mǎn)一條14nmFDSOI的日常生產(chǎn)晶圓安排嗎？撐不滿(mǎn)的結果，就是一個(gè)永遠填不滿(mǎn)的無(wú)底洞，關(guān)也不是開(kāi)也不是，這點(diǎn)，不正是現在GF面臨的尷尬問(wèn)題嗎？多一種選擇，也許不是為了更好的成功，而是崩塌得更快了！

附注：
Places2Be（“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”）項目旨在于支持28納米及以下技術(shù)節點(diǎn)的FD-SOI試制生產(chǎn)線(xiàn)的部署以及在歐洲實(shí)現規模生產(chǎn)的雙貨源。 Places2Be將有助于基于FD-SOI平臺的歐洲微電子設計生態(tài)系統發(fā)展，同時(shí)探索此項技術(shù)向下一個(gè)目標（14/10納米）發(fā)展的途徑。其中包括，3年期的3.6億歐元項目涉及歐洲來(lái)自7個(gè)國家的19個(gè)組織參與該項目，意法半導體為項目負責方；2條FD-SOI試制生產(chǎn)線(xiàn)位于格勒諾布爾的ST廠(chǎng)和德累斯頓的GF廠(chǎng)；Places2Be的投資方為ENIAC JU和國家政府機關(guān)。在三年項目執行期內，計劃約500名工程師在歐洲參與項目研發(fā)活動(dòng)，Places2Be是ENIAC聯(lián)盟迄今最大的項目，投資方還包括項目成員國的國家機關(guān)。

Places2Be成員（按字母順序）
? ACREO Swedish ICT AB, 瑞典
? Adixen Vacuum Products, 法國
? Axiom IC, 荷蘭
? Bruco Integrated Circuits, 荷蘭
? Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, 法國
? Dolphin Integration, 法國
? Ericsson AB, 瑞典
? eSilicon Romania S.r.l., 羅馬尼亞
? Forschungzentrum Jülich Gmbh, 德國
? GlobalFoundries Dresden, 德國
? Grenoble INP, 法國
? IMEC Interuniversitair Micro-Electronica Centrum vzw, 比利時(shí)
? Ion Beam Services, 法國
? Mentor Graphics France Sarl, 法國
? SOITEC SA, 法國
? ST-Ericsson
? 意法半導體（Crolles2 SAS, SA, Grenoble SAS）， 法國
? Université Catholique de Louvain, 比利時(shí)
? University of Twente, 荷蘭