總投資超5100萬(wàn)，又一座高等級功率半導體廠(chǎng)房竣工！

微龍游消息，4月9日，芯盟高等級功率半導體廠(chǎng)房項目已順利通過(guò)竣工驗收。

據悉，該項目位于浙江省龍游縣經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區城北片區惠商路，總投資5100余萬(wàn)元，建筑面積約25000多平方米。項目由龍游經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區下屬?lài)Y公司代建，主體建筑由廠(chǎng)房、綜合樓、門(mén)衛、材料庫及室外附屬配套組成，建筑層數共計5層。

該項目的竣工標志著(zhù)龍游縣在半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域邁出了堅實(shí)的一步，也為國內功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。據悉，芯盟項目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，并積極拓展碳化硅功率器件領(lǐng)域。項目建成后，預計年產(chǎn)300萬(wàn)只高等級功率半導體模塊。這將顯著(zhù)提升我國在高等級功率半導體領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)能力，進(jìn)一步推動(dòng)國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。該項目建成后將全面提升園區的整體工藝技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈等多方面能力，進(jìn)一步助力國產(chǎn)功率半導體的發(fā)展。下一步，開(kāi)發(fā)區將持續優(yōu)化園區環(huán)境，優(yōu)化周邊配套設施，推動(dòng)企業(yè)產(chǎn)業(yè)轉型升級，為開(kāi)發(fā)區發(fā)展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個(gè)研發(fā)出垂直溝道三維存儲器并商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構集成HITOC?鍵合技術(shù)可以實(shí)現線(xiàn)寬0.9μm，讓芯片之間連接點(diǎn)數超過(guò)100萬(wàn)個(gè)，3D鍵合密度全球領(lǐng)先。

近期，芯盟科技接連申請了兩項技術(shù)專(zhuān)利。

3月19日，芯盟科技向國家知識產(chǎn)權局申請了一項名為“動(dòng)態(tài)隨機存儲器及其讀操作方法、電子設備”的專(zhuān)利，公開(kāi)號為CN119626287A。該專(zhuān)利通過(guò)優(yōu)化DRAM設計，引入多個(gè)存儲單元組及靈敏放大器組等，顯著(zhù)提高了DRAM的感應裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導體器件及其制造方法”的專(zhuān)利，授權公告號為CN113629011B。這項專(zhuān)利涉及創(chuàng )新的材料選擇和生產(chǎn)工藝，有望提升半導體器件的耐用性和能效，廣泛應用于智能設備、通信基礎設施及消費電子等領(lǐng)域。