事關(guān)芯片！我國成功開(kāi)發(fā)這一新技術(shù)

近日，由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器（杭州）技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)西湖儀器）近日成功實(shí)現12英寸碳化硅襯底自動(dòng)化激光剝離，解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。

與傳統的硅材料相比，碳化硅具有更寬的禁帶能隙，以及更高的熔點(diǎn)、電子遷移率和熱導率。其能夠在高溫、高電壓條件下穩定工作，已成為新能源和半導體產(chǎn)業(yè)迭代升級的關(guān)鍵材料，在電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)通信等領(lǐng)域擁有廣闊應用前景。

“目前，碳化硅襯底材料成本居高不下，嚴重阻礙了碳化硅器件的大規模應用?！蔽骱髮W(xué)工學(xué)院講席教授仇旻介紹，碳化硅行業(yè)降本增效的重要途徑之一，是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸碳化硅襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料能夠進(jìn)一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著(zhù)提升芯片產(chǎn)量，同時(shí)降低單位芯片制造成本。

此前，西湖儀器已率先推出8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備。為響應最新市場(chǎng)需求，西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)，將超快激光加工技術(shù)應用于碳化硅襯底加工行業(yè)，完成了相關(guān)設備和集成系統的開(kāi)發(fā)。

“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)能夠實(shí)現對碳化硅晶錠的精準定位、均勻加工、連續剝離?！背饡F介紹，一方面，該技術(shù)實(shí)現了晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過(guò)程的自動(dòng)化；另一方面，與傳統切割技術(shù)相比，該技術(shù)可實(shí)現激光剝離過(guò)程無(wú)材料損耗，原料損耗大幅下降。

不僅如此，仇旻還提到，超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)可大幅縮短襯底出片時(shí)間，適用于未來(lái)超大尺寸碳化硅襯底的規?；慨a(chǎn)，有助于加速超大尺寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)迭代，進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)降本增效。