總投資超200億，長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地SiC項目首批設備搬入

12月18日，長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目舉行首批設備搬入儀式，標志著(zhù)長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產(chǎn)正式進(jìn)入倒計時(shí)。本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設備搬入時(shí)間大幅提前。

長(cháng)飛先進(jìn)總裁陳重國表示，首批設備的進(jìn)駐，標志著(zhù)武漢基地項目正式進(jìn)入產(chǎn)能建設新階段，接下來(lái)還將面臨工藝驗證、產(chǎn)品通線(xiàn)等更多、更難的挑戰。目前，長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目正加快推進(jìn)建設并對設備進(jìn)行安裝調試，預計2025年5月實(shí)現量產(chǎn)通線(xiàn)。

資料顯示，長(cháng)飛先進(jìn)與2023年8月與武漢東湖高新區管委會(huì )簽署第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目，該項目聚焦第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預計超過(guò)200億元，其中項目一期總投資80億元，規劃年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。

當前SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場(chǎng)中仍然呈現加速滲透之勢，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(cháng)態(tài)勢。全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)預測，到2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規模有望達到91.7億美元。