美光已在廣島工廠(chǎng)利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM，計劃2025年大規模量產(chǎn)

美國當地時(shí)間6月26日，存儲芯片大廠(chǎng)美光科技在公布2024財年第三財季財報的同時(shí)，也披露了美光正在其位于日本廣島的Fab15工廠(chǎng)試產(chǎn)基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的 1γ （1-gamma）DRAM ，作為試生產(chǎn)計劃的一部分，首批 1γ DRAM也將在那里制造。

雖然三星和SK海力士早已經(jīng)將先進(jìn)的EUV光刻機引入到了它們的先進(jìn)制程節點(diǎn)的DRAM制造，但是美光卻一直不急于使用EUV光刻技術(shù)來(lái)制造DRAM，而是更多的通過(guò)使用標準的 DUV 多圖案化，在其 1α 和 1? 節點(diǎn)上開(kāi)發(fā)了具有成本和性能競爭力的 DRAM。不過(guò)，今年美光已經(jīng)開(kāi)始在其更先進(jìn)的 1γ 制程DRAM的試產(chǎn)上引入了EUV光刻技術(shù)，并且明年將會(huì )進(jìn)入大批量生產(chǎn)。

美光首席執行官Sanjay Mehrotra在第三財季的與投資者和金融分析師的電話(huà)會(huì )議上表示，雖然美光在EUV使用方面將略微落后于三星和SK海力士，但其EUV結果看起來(lái)相當有希望：“使用EUV光刻的 1γ DRAM試生產(chǎn)進(jìn)展順利，我們有望在2025年實(shí)現量產(chǎn)?！?/p>

美光對其1γ DRAM工藝技術(shù)寄予厚望，并希望EUV技術(shù)的使用將使其能夠構建業(yè)界最小的DRAM單元，這將是其即將推出的存儲芯片的主要競爭優(yōu)勢，因為它將使公司能夠構建業(yè)內最便宜、更節能的DRAM芯片。EUV技術(shù)將成為此類(lèi)存儲單元的關(guān)鍵推動(dòng)因素。至于將會(huì )對美光DRAM的性能和市場(chǎng)表現有多大的助力，還有待觀(guān)察。

目前，美光基于 EUV光刻的 1γ DRAM 制造工藝正在該公司位于日本廣島的工廠(chǎng)開(kāi)發(fā)，作為試生產(chǎn)計劃的一部分，第一批 1γ 存儲設備正在那里制造。

在此之前，美光已經(jīng)試驗了ASML的Twinscan NXE EUV光刻機一段時(shí)間了。該公司一直在測試這些工具，方法是將其 1α 和 1? 節點(diǎn)的一些 DUV光刻流程替換為 EUV光刻，并逐步調整它們以獲得適當的產(chǎn)量。到目前為止，該公司已經(jīng)有足夠的經(jīng)驗開(kāi)始準備使用EUV光刻機進(jìn)行大規模生產(chǎn)。

Mehrotra曾在3月份表示：“我們繼續通過(guò)EUV提高我們的生產(chǎn)能力，并在EUV和非EUV之間的1α和1?節點(diǎn)上實(shí)現了同等的產(chǎn)量和質(zhì)量?！拔覀円呀?jīng)開(kāi)始使用EUV進(jìn)行1γ DRAM的試生產(chǎn)，并有望在2025年實(shí)現批量生產(chǎn)?！?/p>

值得一提的是，美光去年就宣布計劃在斥資6,000至8,000億日日本廣島現有的Fab15工廠(chǎng)附近興建DRAM新廠(chǎng)，預計2026年初動(dòng)工、最快2027年底前完成廠(chǎng)房建設、機臺設備安裝并投入營(yíng)運。新廠(chǎng)初期規劃為DRAM晶圓廠(chǎng)，未包含后段封裝及測試，產(chǎn)能將著(zhù)重于HBM產(chǎn)品。該工廠(chǎng)還將入EUV光刻設備，生產(chǎn)先進(jìn)1-Gamma制程的DRAM，后續也將導入1-Delta制程。

編輯：芯智訊-浪客劍