重磅新品｜清純半導體推出國內首款15V驅動(dòng)SiC MOSFET

來(lái)源：碳化硅芯觀(guān)察

市場(chǎng)動(dòng)態(tài)：近日，清純半導體發(fā)布了國內首款15V驅動(dòng)的1200V SiC MOSFET器件平臺產(chǎn)品，填補了國內15V驅動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)品空白。

國內頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)「清純半導體」日前宣布發(fā)布國內首款15V驅動(dòng)的1200V SiC Mosfet器件平臺產(chǎn)品，填補了國內15V驅動(dòng)SiC Mosfet產(chǎn)品空白，使得國內SiC功率器件技術(shù)躋身國際領(lǐng)先水平。據悉，公司首款1200V 75mΩ SiC  Mosfet已獲得國內領(lǐng)先新能源逆變器制造商的批量訂單，后續將陸續推出該平臺下的系列規格產(chǎn)品。

自中國明確雙碳目標以來(lái)，我國新能源行業(yè)進(jìn)入跨越式發(fā)展階段。新能源汽車(chē)行業(yè)正步入爆發(fā)期，這也催生出了巨大的功率器件市場(chǎng)。SiC功率器件得益于高壓、高溫及高頻的獨特優(yōu)勢，正成為新一代電力轉換的核心器件，已在新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲能等領(lǐng)域獲得廣泛應用，顯著(zhù)提高了電力轉換效率。國家“十四五”計劃點(diǎn)名發(fā)展“碳化硅等寬禁帶半導體”，希望國內廠(chǎng)商能夠盡快追趕國際水平，推出自主可控的產(chǎn)品。

SiC Mosfet作為應用最廣泛的碳化硅功率器件，早已在國內相關(guān)行業(yè)龍頭企業(yè)比亞迪、陽(yáng)光電源和華為等的旗艦產(chǎn)品系列中廣泛使用，其需求也在迅速擴大。但SiC Mosfet相關(guān)核心技術(shù)始終未被突破，在產(chǎn)品性能和可靠性方面與國際主流產(chǎn)品仍有較大差距，國內市場(chǎng)主要被國外廠(chǎng)商占據。

據悉，該器件主要有18V驅動(dòng)和15V驅動(dòng)兩個(gè)類(lèi)型，其中15V驅動(dòng)產(chǎn)品優(yōu)勢更加明顯：

客戶(hù)采用15V驅動(dòng)的產(chǎn)品，一是系統可以更好兼容目前IGBT驅動(dòng)電路；

二是進(jìn)一步提升了器件的可靠性，同時(shí)降低了驅動(dòng)損耗；

三是國內驅動(dòng)芯片廠(chǎng)商大多供應15V的驅動(dòng)芯片，國產(chǎn)配套容易。

同時(shí)，15V驅動(dòng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度更大，對產(chǎn)品設計水平和制造工藝的要求更高，經(jīng)過(guò)近年來(lái)的努力，國內已有個(gè)別廠(chǎng)家能夠少量提供18V驅動(dòng)的SiC Mosfet產(chǎn)品，但國際主流廠(chǎng)商已開(kāi)始大力推廣15V驅動(dòng)的SiC Mosfet,加快對傳統硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產(chǎn)品的替代，由此進(jìn)一步拉開(kāi)了與國內產(chǎn)品的技術(shù)代差。

清純半導體此次發(fā)布的15V驅動(dòng)的1200V SiC Mosfet器件平臺產(chǎn)品首次填補了國內該系列產(chǎn)品空白，帶領(lǐng)國內SiC功率器件技術(shù)躋身國際領(lǐng)先水平。相比國際主流產(chǎn)品，本次清純半導體推出的15V驅動(dòng)1200V SiC Mosfet器件產(chǎn)品，具有更低的導通損耗、更低的熱阻、較低開(kāi)關(guān)損耗，綜合損耗更小，效率更高。

下表是清純半導體Mosfet與國際一流產(chǎn)品（源于各產(chǎn)品的規格書(shū)）的比較：

清純半導體基于自主工藝開(kāi)發(fā)的國產(chǎn)1200V SiC Mosfet系列產(chǎn)品一經(jīng)推出即得到市場(chǎng)的熱烈響應，據碳化硅芯觀(guān)察了解，公司首款1200V 75mΩ SiC Mosfet產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規級測試并獲得國內領(lǐng)先新能源逆變器制造商的批量訂單。

  清純半導體 

清純半導體成立于2021年3月，為國內領(lǐng)先的碳化硅功率器件設計和供應商，去年底宣布完成高瓴創(chuàng )投領(lǐng)投的數億元首輪融資。公司擁有國際領(lǐng)先的研發(fā)團隊，始終瞄準國際技術(shù)前沿，以提供國際一流的碳化硅功率芯片為己任。

公司成立一年來(lái)，技術(shù)與產(chǎn)品發(fā)展迅速，目前已突破國產(chǎn)SiC功率器件設計及大規模制造瓶頸，在極短時(shí)間內先后開(kāi)發(fā)出自主知識產(chǎn)權的SiC二極管及 Mosfet器件產(chǎn)品，產(chǎn)品先后通過(guò)車(chē)規級可靠性測試，是目前國內唯一能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、并且基于國內產(chǎn)線(xiàn)量產(chǎn)SiC  Mosfet的企業(yè)。

目前，清純半導體已完成1200V全系列碳化硅功率器件的產(chǎn)品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等規格SiC SBD（碳化硅-肖特基二極管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大電流車(chē)載芯片等規格SiC Mosfet（18V和15V驅動(dòng)可選）。

其供應的SiC器件具有國際先進(jìn)水平的卓越性能，可廣泛應用于新能源汽車(chē)、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、UPS、通信電源等大功率、高頻、高效率領(lǐng)域，可直接實(shí)現SiC器件的國產(chǎn)替代，同時(shí)具備高可靠性、兼容IGBT驅動(dòng)電壓等優(yōu)勢，豐富的產(chǎn)品系列能夠滿(mǎn)足諸多目標應用的需求，進(jìn)一步推動(dòng)國產(chǎn)高性能功率芯片的發(fā)展和應用。