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EEPW首頁(yè) > 博客 > (2021.10.25)半導體周要聞-莫大康

(2021.10.25)半導體周要聞-莫大康

發(fā)布人:qiushiyuan 時(shí)間:2021-10-26 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

半導體周要聞

2021.10.18- 2021.10.22


1. 魏少軍:集成電路成不了風(fēng)口上的豬也不可能出現彎道超車(chē)!

集成電路成不了“風(fēng)口上的豬”。集成電路這個(gè)領(lǐng)域也不可能出現彎道超車(chē),我們只有按照產(chǎn)業(yè)發(fā)展規律,回歸產(chǎn)業(yè)的本源,回歸技術(shù)驅動(dòng)的本源,踏踏實(shí)實(shí)地認真做好集成電路這一硬科技發(fā)展。


硬科技是經(jīng)過(guò)長(cháng)期研究和積累形成的具有較高技術(shù)門(mén)檻的高科技。魏少軍指出,集成電路就屬于硬科技領(lǐng)域,我們要按照硬科技的規律來(lái)發(fā)展。發(fā)展硬科技需要有科學(xué)工匠精神,需要長(cháng)期的堅持。


2. 臺積電TSMC21Q3電話(huà)會(huì )議紀要產(chǎn)能緊張延續至2022年,半導體行業(yè)結構性長(cháng)期增長(cháng)

Q3營(yíng)收按新臺幣計算4147億新臺幣增長(cháng)11.4%,按美元計算149億美元則增長(cháng)12%。營(yíng)收增長(cháng)主要受4大應用平臺業(yè)務(wù)推動(dòng):智能手機、高性能計算HPC、物聯(lián)網(wǎng)IoT及汽車(chē)相關(guān)應用;毛利率環(huán)比擴大1.3個(gè)百分點(diǎn)達51.3%,毛利增長(cháng)主要是因為封裝工藝的盈利能力提升和更優(yōu)化的技術(shù)組合;營(yíng)業(yè)利潤率環(huán)比擴大2.1個(gè)百分點(diǎn)達41.2%,主要由于更優(yōu)化的經(jīng)營(yíng)杠桿??傮w來(lái)看,我們三季度的EPS是6.03新臺幣、ROE為30.7%。


各工藝制程的營(yíng)收能力:先進(jìn)制程收入(7nm及以下)占52%,其中7nm工藝收入占晶圓總收入的34%。

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智能手機業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)15%,占比44%;高性能計算HPC業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)9%,占比37%;物聯(lián)網(wǎng)IoT業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)23%,占比9%;汽車(chē)電子業(yè)務(wù)環(huán)比增長(cháng)5%,占比4%;數字消費電子業(yè)務(wù)環(huán)比下降2%,占比3%。

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公司有信心保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,我們已經(jīng)有3nm和2nm等新工藝的推出時(shí)間表。到2025年,2nm工藝在資本密度和性能方面會(huì )是最具競爭力的工藝節點(diǎn),2nm工藝節點(diǎn)將在公司的考慮范圍內。


N3因為技術(shù)更復雜,要使用更多成本更高的新設備,成本會(huì )比N5要高。但產(chǎn)能爬坡的進(jìn)度會(huì )與前面的工藝節點(diǎn)很類(lèi)似。會(huì )有更多的客戶(hù)參與N3工藝,且2022年將會(huì )實(shí)現量產(chǎn),收入確認將在2023年Q1出現。


對于N3及N3E工藝,EUV的雙重模版技術(shù)Double Patterning將對成本結構帶來(lái)什么影響?


從N3到N3E,我們可以提供更好的晶體管性能和更好的制造工藝窗口。他們的成本相似,但客戶(hù)會(huì )享受更好的成品率、缺陷密度和晶體管性能。


3. 臺積電屈服了!

10月22日下午,臺積電表示,將在11月8日截止日期前,向美國提交臺積電工廠(chǎng)訂單、庫存量、銷(xiāo)售記錄等相關(guān)商業(yè)機密數據!近日,美國政府以「提高供應鏈透明度」為由,要求芯片制造商提供機密數據,引發(fā)臺積電、三星等半導體公司擔憂(yōu)。


10月21日,美國商務(wù)部表示,Intel和英飛凌等公司已同意自愿提供數據。美方表示,將檢查半導體公司提供的數據質(zhì)量,若有敷衍之虞,不排除改成強制調查!


4. 中芯國際張昕提出新型戰略供應商的定義和要求,聯(lián)手戰略伙伴共建產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

張昕提到,經(jīng)過(guò)20年的持續努力,北京地區已經(jīng)形成了國內半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的主體,具有領(lǐng)先和示范作用。形成的原因在于提前布局了產(chǎn)業(yè)鏈條最難、最需要時(shí)間布局的集成電路制造和裝備企業(yè),成功地探索出了一條發(fā)展中國半導體產(chǎn)業(yè)的正確道路。


當前中芯北京、中芯北方加起來(lái)3000多臺設備,但平均每種只有4臺,未來(lái)目標將要發(fā)展到30臺/種。張昕指出:“做這個(gè)事的意義和原因在于批量采購,支持戰略供應商。這是國內漫長(cháng)的11年培養戰略供應商的一個(gè)過(guò)程。做這一切的初心就是為改變產(chǎn)業(yè)鏈的不公平性?!?/p>


5. 過(guò)去6個(gè)月華為中芯國際供應商獲得價(jià)值數十億美元的許可證,美國鷹派欲徹底封堵

自2019年特朗普政府時(shí)期批準許可以來(lái),113份價(jià)值610億美元的出口許可證被批準用于相關(guān)供應商向華為出售產(chǎn)品和技術(shù),而另外188份價(jià)值近420億美元的許可證被批準用于相關(guān)供應商向中芯國際出售產(chǎn)品和技術(shù)。


數據還顯示,供應商向中芯國際供貨的出口許可證申請中,有90%獲得了批準。而同期供應商向華為供貨的申請中,僅有69%獲得了批準。


6. 英特爾第三季度營(yíng)收191.92億美元, 凈利同比增長(cháng)60%

據報道,英特爾今天公布了該公司的2021財年第三季度財報。報告顯示,英特爾第三季度營(yíng)收為191.92億美元,與去年同期的183.33億美元相比增長(cháng)5%;凈利潤為68.23億美元,與去年同期的42.76億美元相比增長(cháng)60%。不計入某些一次性項目(不按照美國通用會(huì )計準則),英特爾第三季度調整后凈利潤為69.97億美元,與去年同期的45.46億美元相比增長(cháng)54%。


按照部門(mén)劃分,英特爾客戶(hù)計算集團第三季度凈營(yíng)收(其中包含芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收)為96.64億美元,相比之下去年同期為98.47億美元,同比下降2%;運營(yíng)利潤為33.17億美元,相比之下去年同期為35.54億美元。其中,平臺業(yè)務(wù)營(yíng)收為89.54億美元,相比之下去年同期為87.62億美元;其他業(yè)務(wù)營(yíng)收為7.10億美元,相比之下去年同期為10.85億美元。


英特爾數據中心集團第三季度營(yíng)收為64.96億美元,相比之下去年同期為59.05億美元,而分析師此前預期為66.6億美元;運營(yíng)利潤為20.57億美元,相比之下去年同期為19.03億美元。其中,平臺業(yè)務(wù)營(yíng)收為57.47億美元,相比之下去年同期為51.51億美元;其他業(yè)務(wù)營(yíng)收為7.49億美元,相比之下去年同期為7.54億美元。


英特爾物聯(lián)網(wǎng)集團第三季度營(yíng)收為13.68億美元,相比之下去年同期為9.11億美元;運營(yíng)利潤為3.81億美元,相比之下去年同期為1.08億美元。其中,IOTG業(yè)務(wù)營(yíng)收為10.42億美元,相比之下去年同期為6.77億美元;Mobileye業(yè)務(wù)營(yíng)收為3.26億美元,相比之下去年同期為2.34億美元。


英特爾第三季度非可變存儲解決方案集團營(yíng)收為11.05億美元,相比之下去年同期為11.53億美元;運營(yíng)利潤為4.42億美元,相比之下去年同期為2900萬(wàn)美元。


英特爾第三季度可編程解決方案集團營(yíng)收為4.78億美元,相比之下去年同期為4.11億美元;運營(yíng)利潤為7600萬(wàn)美元,相比之下去年同期的運營(yíng)利潤為4000萬(wàn)美元。


7. 華潤微深度報告:功率龍頭業(yè)績(jì)迎來(lái)拐點(diǎn),新型業(yè)務(wù)拓展順利進(jìn)行

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公司主營(yíng)的MOSFET、IGBT、功率IC等產(chǎn)品,產(chǎn)品線(xiàn)齊全,公司兼備代工和封測業(yè)務(wù),可以自由調節公司產(chǎn)能分配,更好的研發(fā)環(huán)境可以確保公司產(chǎn)品的不斷迭代。目前功率半導體供不應求的環(huán)境,MCU產(chǎn)品的持續漲價(jià)、公司產(chǎn)能的規劃、產(chǎn)線(xiàn)的升級都給公司業(yè)績(jì)帶來(lái)極高確定性,筆者認為應給與公司極高的關(guān)注。


8. 平頭哥半導體副總裁孟建熠專(zhuān)訪(fǎng),揭開(kāi)玄鐵RISC-V處理器開(kāi)源背后的秘密

在2021云棲大會(huì )上,阿里云智能總裁、達摩院院長(cháng)張建鋒宣布旗下平頭哥半導體自研的四款玄鐵RISC-V系列處理器開(kāi)源,并開(kāi)放系列工具及系統軟件,引發(fā)了業(yè)界的極大關(guān)注。


據最新公布的數據顯示,目前平頭哥玄鐵系列處理器出貨已超25億顆,擁有150余家客戶(hù)、超500個(gè)授權數。


9. TrendForce:明年12英寸產(chǎn)能同增14%, 超半數為成熟制程

根據TrendForce周三(20日)發(fā)布的產(chǎn)業(yè)預測,新增的12英寸產(chǎn)能中,超過(guò)半數為當前短缺最為嚴重的成熟制程,即1Xnm及以上制程,預計能有效緩解至今為止仍很緊張的芯片供應問(wèn)題。


市調機構TrendForce預估,2022年全球晶圓代工8英寸年均產(chǎn)能將同比增長(cháng)6%,12英寸則增長(cháng)14%。


10. 面對晶圓代工競爭高墻,三星如何突破20%魔咒?

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以5納米制程基準,每1萬(wàn)片設備和基礎設施的投資約3.5萬(wàn)億韓元,粗估三星美國新廠(chǎng)170億美元投資,約可增加6萬(wàn)片產(chǎn)能。


三星預計在2022年上半,首發(fā)成為全球首家量產(chǎn)3納米GAA的業(yè)者,采用GAA技術(shù)將可減少半導體漏電流,提升電源使用效率,2023年預計推出第二代3納米GAA,2025年將挺進(jìn)2納米GAA。10納米以下先進(jìn)制程,臺積電、三星市占率分別為60%及40%,但三星如想追上臺積電,或許也得同時(shí)對傳統制程(legacy node)進(jìn)行投資與優(yōu)化。


臺積電的防守與隱憂(yōu)


臺積電董事會(huì )主導經(jīng)營(yíng)在投資策略上相對保守穩健,因此最近三星喊出2022年上半,量產(chǎn)3納米GAA制程時(shí),臺積電仍顯得老神在在,按部就班於2022年下半推出3納米FinFET制程,并不打算在3納米冒然導入GAA。臺積電也許有良率、獲利等方面考量,但這方面的包袱,三星反而較小。


11. 華登國際黃慶:我們曾坐了十年半導體投資冷板凳

回顧華登國際的投資歷史,基本覆蓋了中國半導體的發(fā)展史。華登國際1987年成立,上世紀90年代來(lái)到中國來(lái)投資,是科技部邀請華登國際介紹風(fēng)險投資概念,之前我們在東南亞、韓國、中國臺灣投資。那是一個(gè)拓荒的年代,彼時(shí)中國還沒(méi)有“股權投資”這個(gè)行業(yè)。


我們當時(shí)投資中芯國際,是一筆非常艱難的投資,而發(fā)展到今天,中芯國際已經(jīng)是中國最大的半導體廠(chǎng)商。還投資了華潤微電子,當時(shí)叫無(wú)錫上華,今天也是響當當的半導體公司。2004年,我們領(lǐng)投了半導體設備公司中微,后者在科創(chuàng )板上市,一直到今天,我還是中微的董事。格科微電子也是我們在2006年投資的,它是今年最大的半導體上市公司,去年銷(xiāo)售額超過(guò)十億美元??傊?,我們堅持坐了十年半導體投資的冷板凳,盡管非常艱難但又非常堅定。


2019年科創(chuàng )板設立,是一個(gè)劃時(shí)代的標志。當年創(chuàng )業(yè)板給了我們信心,但是在創(chuàng )業(yè)板上市的公司并不多,沒(méi)有起到當時(shí)我們想象的作用,有很多框框條條,跟創(chuàng )新科技公司的實(shí)際狀況不匹配??苿?chuàng )板來(lái)了,真正意義上對標納斯達克,支持高科技公司,比如非盈利公司也可以上市。以前我們做一家公司,可能要十幾年才能上市,現在一個(gè)公司五六年就可以上市,這一系列事情代表中國高科技投資的春天到來(lái)了。如今投資界的人都涌進(jìn)高科技賽道,跟科創(chuàng )板的設立也非常有關(guān)。


今天國內半導體行業(yè)可以說(shuō)是“不差錢(qián)”,所以開(kāi)始投資存儲,而存儲的投資可能要上千億元,例如合肥長(cháng)鑫和長(cháng)江存儲,這樣的情景放在以前難以想象。


其中一位董事長(cháng)講了一個(gè)故事,他問(wèn)一個(gè)朋友“企業(yè)成功的要素是什么”,這個(gè)企業(yè)家說(shuō),有很好的投資人非常重要,很好的投資人占成功10%的比重,還需要一個(gè)很好的團隊,這個(gè)團隊占30%,還有60%是什么,是“堅持”。這位董事長(cháng)本意是想贊揚華登國際能夠堅持,事實(shí)上我們能做出這樣的成績(jì),也是因為我們投資的公司也都非常堅持。


12. 居龍:全球缺芯推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)鏈加速重整

雖然缺芯是一大問(wèn)題,但與此同時(shí)數字經(jīng)濟智能應用推動(dòng)了半導體市場(chǎng)的成長(cháng),到目前為止,全球半導體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額已經(jīng)有逾20%的增長(cháng),今年將突破5000億美元,甚至達到5500億美元。各大機構也預測全球半導體將實(shí)現三年連續增長(cháng),正在進(jìn)入超級周期。


對于我國半導體設備的發(fā)展現狀,居龍表示:“過(guò)去一年取得了很大的進(jìn)步,但是這一年內我們取得的成績(jì)是過(guò)去10年、20年,甚至是30年累積的結果。未來(lái),國內設備廠(chǎng)商也將有著(zhù)巨大的機遇,但我們也要意識到成績(jì)并不是一蹴而就的,需要持續的耕耘?!?/p>


其中一個(gè)機遇在于全球晶圓廠(chǎng)紛紛擴產(chǎn)12寸、8寸產(chǎn)能,韓國、中國臺灣、中國大陸都在持續投入。統計顯示,全球半導體制造商在2020年至2024年將持續提高8寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能,預計增長(cháng)95萬(wàn)片/月,增幅達17%,達到660萬(wàn)/月的歷史紀錄。從區域來(lái)看,2021年8寸晶圓產(chǎn)能中國大陸占大多數,占比為18%。


13. SK海力士開(kāi)發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

10月20日,SK海力士宣布業(yè)界首次成功開(kāi)發(fā)現有最佳規格的HBM3DRAM。


HBM3是第四代HBM(HighBandwidthMemory)技術(shù)*,由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成,是一種高價(jià)值產(chǎn)品,創(chuàng )新性地提高了數據處理速度。


此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實(shí)現24GB,SK海力士技術(shù)團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm,10-6m),相當于A(yíng)4紙厚度的1/3,然后使用TSV技術(shù)垂直連接12個(gè)芯片。


SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比,速度提高了約78%。


14. 中芯國際公司今年擬擴建1萬(wàn)片成熟12英寸和4.5萬(wàn)片8英寸晶圓的產(chǎn)能

10月18日,中芯國際在投資者互動(dòng)平臺表示,公司今年擬擴建1萬(wàn)片成熟12英寸和4.5萬(wàn)片8英寸晶圓的產(chǎn)能,以滿(mǎn)足更多的客戶(hù)需求。


今年9月,中芯國際發(fā)布公告稱(chēng),已與上海臨港管委會(huì )簽訂合作框架協(xié)議,將成立合資公司規劃建設產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目。


15. SEMI :2021年硅晶圓出貨量將同比增長(cháng)13.9%

國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)今日(19日)發(fā)布了半導體行業(yè)年度硅晶圓出貨量預測報告。2021年硅晶圓出貨量將同比增長(cháng)13.9%,達到近14000百萬(wàn)平方英寸(millionsquareinch,MSI)的歷史新高。


16. 臺積電最新路線(xiàn)圖

2023N3


“N3風(fēng)險生產(chǎn)計劃在2021年,生產(chǎn)將在2022年下半年開(kāi)始,”  臺積電首席執行官CC Wei表示?!耙虼?,2022 年下半年將是我們的大規模生產(chǎn),但您可以預期收入將在 2023 年第一季度出現,因為這需要很長(cháng)時(shí)間——所有這些晶圓都需要周期時(shí)間?!?/p>


雖然 EUV 層的確切數量未知,但它的層數將比 N5 中使用的 14 層多。該技術(shù)的極端復雜性將進(jìn)一步增加工藝步驟的數量——使其超過(guò) 1000 個(gè)——這將進(jìn)一步增加cycle時(shí)間。 


2024年的N3E


2025年的N2

但隨著(zhù) N2 越來(lái)越近,臺積電正在慢慢鎖定一些額外的細節。特別是,該公司現在正式確認 N2 節點(diǎn)定于 2025 年。盡管他們沒(méi)有詳細說(shuō)明這是否意味著(zhù) 2025 年的 HVM,或 2025 年的出貨量。


迄今為止,臺積電的 N2 制造工藝在很大程度上仍是個(gè)謎。該公司已確認正在考慮為此節點(diǎn)使用環(huán)柵場(chǎng)效應晶體管 (GAAFET),但從未表示該決定是最終決定。此外,它之前從未披露過(guò) N2 的時(shí)間表。


需要HNA EUV設備 及 double pattening EUV 技術(shù)。


17. 探秘臺積電美國工廠(chǎng)

建造晶圓廠(chǎng)和制造芯片需要大量的水,而不是沙漠中的豐富資源。亞利桑那州最大的水源是地下水,但大型農場(chǎng)的深井用水速度快于自然補充。陳說(shuō),臺積電每天需要大約 470 萬(wàn)加侖的水來(lái)支持生產(chǎn)。


臺積電技術(shù)總監 Tony Chen 帶著(zhù) CNBC 參觀(guān)了正在建造一座 230 萬(wàn)平方英尺的四層晶圓廠(chǎng)的現場(chǎng)。在臺積電工作的 23 年里,陳先生領(lǐng)導了其他 17 個(gè)晶圓廠(chǎng)建設項目。 


在那里,世界上最大的起重機之一正在被提升到 200 英尺的全高。這臺 2,300 噸的起重機由 153 輛半卡車(chē)運到現場(chǎng)?,F場(chǎng)主管吉姆·懷特 (Jim White) 表示,自 4 月開(kāi)始施工以來(lái),承包商已搬運了近 400 萬(wàn)立方碼的泥土,并使用了超過(guò) 2.6 億加侖的水。

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