香港在全球半導體行業(yè)取得突破，設立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線(xiàn)

香港正在設立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，這是一種新一代半導體材料，旨在在美中技術(shù)競爭加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據一席之地。

今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學(xué)園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線(xiàn)，目標是到2027年實(shí)現年產(chǎn)1萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，MassPhoton創(chuàng )始人兼首席執行官廖義森在周二的媒體簡(jiǎn)報會(huì )上表示。

該公司專(zhuān)注于制造紫外線(xiàn)-C消毒產(chǎn)品，將在香港新晶圓生產(chǎn)線(xiàn)投資2億港元（2560萬(wàn)美元），并在科學(xué)園內建立GaN技術(shù)的研發(fā)中心，HKSTP周二在聲明中表示。

2024年7月30日，創(chuàng )新科技及工業(yè)局局長(cháng)孫東在第三代半導體GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)儀式上講話(huà)。照片：手稿 2024年7月30日，創(chuàng )新科技及工業(yè)局局長(cháng)孫東在第三代半導體GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)儀式上講話(huà)。照片：手稿 與傳統的硅基半導體相比，GaN和碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，具有更高的能源效率和更小的尺寸優(yōu)勢。

計劃中的GaN生產(chǎn)線(xiàn)正值香港尋求在全球半導體供應鏈中占據一席之地之際，這是該市在地緣政治緊張局勢加劇背景下，努力成為創(chuàng )新和技術(shù)中心的一部分。

去年10月，HKSTP還與中國大陸芯片公司J2 Semiconductor簽署了一份諒解備忘錄，目標是在香港設立首條8英寸SiC晶圓廠(chǎng)和一個(gè)新的第三代半導體研發(fā)中心。

這家總部位于上海的芯片制造商承諾在該項目中投資69億港元，并計劃到2028年實(shí)現每年24萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)能力，該公司去年10月表示。

美國的出口限制已經(jīng)切斷了中國獲取一些最先進(jìn)芯片制造設備的途徑。

“我們對第三代半導體供應鏈的一致性充滿(mǎn)信心，”MassPhoton的廖義森在周五表示。許多大陸的SiC公司已經(jīng)在全球行業(yè)中處于領(lǐng)先地位，他補充道。

香港立法者在5月份批準了28.4億港元的資金，用于政府建立一個(gè)半導體研究中心。計劃中的元朗InnoPark微電子中心預計今年開(kāi)始運營(yíng)，HKSTP周五表示。

MassPhoton的目標是將其GaN晶圓用于顯示技術(shù)、汽車(chē)和數據中心等領(lǐng)域，廖義森表示。該公司還計劃在年底前再籌集1億港元的資金，他說(shuō)。