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vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區
Vishay發(fā)布助客戶(hù)進(jìn)一步節約器件占位空間和系統成本的解決方案的視頻教程
- 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶(hù)了解在一個(gè)小尺寸器件內組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節省DC-DC轉換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱(chēng)功率MOSFET解決方案。 傳統上，設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機，以及工業(yè)系統的DC-DC轉換中實(shí)現系統電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉換
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DC-DC 轉換器
Vishay改進(jìn)ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶(hù)友好度。 Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進(jìn)行細致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結構復雜的功率MOSFET模型的在線(xiàn)MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
- 關(guān)鍵字： Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim
Vishay推出全新官方網(wǎng)站
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布經(jīng)過(guò)重新設計的公司網(wǎng)站www.vishay.com，以便更好地服務(wù)客戶(hù)、戰略合作伙伴和其他用戶(hù)。通過(guò)對主頁(yè)的產(chǎn)品類(lèi)別加以重新組織，增強搜索系統和改進(jìn)產(chǎn)品選擇信息，新網(wǎng)站使用戶(hù)能夠更便捷地獲取產(chǎn)品信息。重新設計的網(wǎng)站還使用戶(hù)能很順暢地獲取客戶(hù)服務(wù)和支持、設計工具以及公司信息。 新主頁(yè)的產(chǎn)品類(lèi)別非常清晰，包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
- 關(guān)鍵字： Vishay 設計工具
Vishay推出新款4線(xiàn)雙向對稱(chēng)ESD保護陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4線(xiàn)VCUT05A4-05S-G-08雙向對稱(chēng)(BiSy)ESD保護陣列，可保護PC和便攜式消費電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數據端口應用。 新的保護陣列在0V時(shí)具有16pF的低容值，在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝，在生產(chǎn)過(guò)程中很容易進(jìn)行處理，0.7mm的超薄厚度可節省電路板空間。 VCUT05A4-05S-G-08能夠對4條數據線(xiàn)提供瞬態(tài)保護，保護等級達到pe
- 關(guān)鍵字： Vishay ESD保護 USB2.0
Vishay幫助客戶(hù)進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶(hù)了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿(mǎn)足特定用戶(hù)的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
- 關(guān)鍵字： Vishay Power Metal Strip 分流電阻
Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統中的適配器、負載和電池開(kāi)關(guān)。適配器開(kāi)關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開(kāi)啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠實(shí)現超精細、亞微米的節距工藝，將業(yè)內P溝道MOSFET所能實(shí)現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的薄膜貼片電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線(xiàn)式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò )。 新的Vishay Sfernice RMKHT打線(xiàn)式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲存溫度可達+230℃，是業(yè)界首款達到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經(jīng)過(guò)1000小時(shí)后的負載壽命穩定率依然可達0.5%，并同時(shí)保持嚴格的TCR和容差。 新款分立電阻的
- 關(guān)鍵字： Vishay 貼片電阻 電阻元件
Vishay推出新的外形尺的寸電阻器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專(zhuān)用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。 越來(lái)越多的電子設計要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應，因為這些效應會(huì )影響到器件的穩定性和性能。Vishay的MC AT專(zhuān)業(yè)和精密電阻能夠在這些應用當中提供穩定的性能。 今天發(fā)布的新款專(zhuān)業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時(shí)
- 關(guān)鍵字： Vishay 電阻器
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