節約器件占位空間和系統成本的解決方案的視頻教程
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶(hù)了解在一個(gè)小尺寸器件內組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節省DC-DC轉換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱(chēng)功率MOSFET解決方案。
傳統上，設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機，以及工業(yè)系統的DC-DC轉換中實(shí)現系統電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉換應用中所需的低導通電阻和高電流，就不得不使用兩片分立MOSFET。
新視頻展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通過(guò)將一個(gè)低邊和高邊MOSFET組合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中，減少DC-DC轉換器中電源架構所需的空間，增加轉換器的功能，開(kāi)發(fā)更小的終端產(chǎn)品，同時(shí)保持低導通電阻和最大電流。
SiZ700DT的低邊MOSFET在10V下的導通電阻為5.8m?，在+70℃下的最大電流為13.9A，高邊MOSFET在10V下的導通電阻為8.6m?，在+70℃下的最大電流為10.5A。這些指標使設計者能夠使用一個(gè)器件完成設計，節約方案的成本和空間，包括在兩個(gè)分立MOSFET之間的間隙和標注面積。
兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內部進(jìn)行連接，使得布局變得更加簡(jiǎn)潔，同時(shí)減少PCB印制線(xiàn)的寄生電感，提高效率。此外，SiZ700DT的輸入引腳排列在一側，輸出引腳排列在另一側，可進(jìn)一步簡(jiǎn)化布局。
欲觀(guān)看此視頻，請訪(fǎng)問(wèn)：
http://www.vishay.com/landingpage/videos/demo_powerpair.html。
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