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Vishay推出具有寬泛電阻范圍的新型35W厚膜功率電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻--- D2TO35，該器件采用易于安裝的超小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。 　　該新型 D2TO35 厚膜電阻為無(wú)電感器件，具有 0.01?～550k? 的寬泛電阻范圍。這款新型電阻采用面積僅為 10.1mm×10.4mm、厚度僅為 4.5mm 的超小型 TO-263 封裝，因此可節省電路板上的寶貴空間，從而使設計人員能夠縮減
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Vishay推出新型高功率、高速850nm紅外發(fā)射器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用 5mm 帶引線(xiàn)封裝的新一代 850nm 紅外發(fā)射器，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSHG5210 與 TSHG6210 具有 ?10°視角，而 TSHG5410 與 TSHG6x10 器件具有?18°視角。它們具有極高的輻射強度以及當前業(yè)界最低的正向電壓。 　　Vishay 日前推出的這四款發(fā)射器專(zhuān)為以下方面的紅外照明進(jìn)行了優(yōu)化：閉路電視 (CCTV) 安全應用中使用的 CMOS 及
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Vishay推出新系列功率表面貼裝LED

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列功率表面貼裝 LED，這些器件極大的改進(jìn)了散熱與亮度。新型 VLMx32xx 器件采用帶引線(xiàn)框的 PLCC 4 封裝，該封裝專(zhuān)為提供低至 290 K/W 的超低熱阻及高達 200mW 的功耗而進(jìn)行了優(yōu)化，可實(shí)現高達 70mA 的高驅動(dòng)電流，從而比現有的 SMD LED 產(chǎn)品的亮度提高了一倍。對于汽車(chē)應用，VLMx32xx 器件已通過(guò) AEC-Q101 汽車(chē)標準認證。 　　這些新型高強度 LED
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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導通電阻。 　　隨著(zhù)便攜式電子設備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì )極大減少。為實(shí)現消費者對用電池做電源的電子設備的更長(cháng)運行時(shí)間的期望，
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Vishay推出新型增強型PowerBridge? 整流器系列器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出增強型高電流密度 PowerBridgeTM 整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。 　　與市面上體積更大的橋式整流器相比，PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構造可提高散熱效率。因此，PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率，并同時(shí)需要更少的散熱裝置。 　　整流器也因此成為匹配桌面 PC、服
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Vishay推出新型增強型 PowerBridge整流器系列器件

  • 　　2008年5月28日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增強型高電流密度PowerBridgeTM 整流器的新系列，這些器件的額定電流為10 A 至25 A，最大額定峰值反向電壓為600 V 至1000 V。 　　與市面上體積更大的橋式整流器相比，PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構造可提高散熱效率。因此，PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率，并同時(shí)需要更少的散熱裝置。 　　單相整流器也因此成為匹配桌面PC、服務(wù)器、等離子電視、液晶
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Vishay推出業(yè)內最低電感及最低DCR的新型環(huán)形高溫電感器

  • 　　2008年5月16日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器TJ3-HT ，該器件具有業(yè)內最高額定及飽和電流以及最低電感和DCR。 　　Vishay的新型TJ3-HT 電感器的最高額定工作溫度為+200°C，采用環(huán)形設計以減少EMI，可用來(lái)優(yōu)化開(kāi)關(guān)式電源、EMI/RFI濾波器、汽車(chē)的輸出端扼流圈以及深井鉆探產(chǎn)品。 　　該款低成本器件可為設計人員提供水平和垂直安裝選項以?xún)?yōu)化PCB設計。Vishay 的此款新型電感器具有10個(gè)標準電感值以供選
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Vishay推出新型表面貼裝倒裝芯片分壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 VFCD1505 表面貼裝倒裝芯片分壓器。當溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及?55°C 至+125°C（參考溫度為+25°C）時(shí)，該分壓器將±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm 的出色 PCR 跟蹤（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）及±0.005%的負載壽命穩定度等優(yōu)
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Vishay推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型 TR8 系列模塑 MicroTan™ 鉭芯片電容。該系列器件在采用 0805 封裝的該類(lèi)電容具有 0.8Ω 超低 ESR （在100 kHz和47 µF條件下），而采用 0603 封裝時(shí)，更是達到業(yè)內最低的 1.5Ω ESR 值。 　　由于具有超低 ESR 值以及小型 0805 和 0603 封裝，TR8 可在占用更小的PCB板面空間的同時(shí)，進(jìn)一步提高在音頻過(guò)濾和信號處理應用中的效
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Vishay推出八款模擬多路復用器與開(kāi)關(guān)

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開(kāi)關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類(lèi)器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無(wú)引線(xiàn)微型 QFN 封裝的器件。 　　四款新型模擬多路復用器與四款新型模擬開(kāi)關(guān)將 0.5pC～1.0pC的超低電荷注入、2pF 及 3pF 的低開(kāi)關(guān)電容、0.25nA～5nA 的漏電流及 66?～72? 的典型導通電阻完美結合在一起。? 　　它們
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Vishay推出倒立鷗翼式封裝的新型高亮度SMD LED

  • 　　日前，Vishay宣布推出采用倒立鷗翼式封裝的新型 SMD LED 的兩個(gè)系列：黃色 VLRE31.. 系列和 VLRK31.. 系列，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強度和低功耗的特點(diǎn)，旨在滿(mǎn)足日益增長(cháng)的對 AlInGaP 技術(shù)的需求。 　　由于具有超薄的1.9毫米外形，Vishay 的新型 VLRE31.. 和 VLRK31.. 系列的 SMD LED 采用自頂向下安裝方式，并透過(guò) PCB 發(fā)光。這些器件采用非擴散透境，該種透境能出色地與光管和背光耦合。 　　此次 Vishay 推出的新型
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Vishay推出新型超高精度、高分辯率Z箔音頻電阻

  • 　　Vishay于5月5日宣布推出新型超高精度Z箔。該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度；當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C （參考溫度為+25°C）時(shí)，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。 　　Vishay 的此款新型音頻電阻 (VAR)采用 Vishay 的 Bulk Metal Z 箔技術(shù)制成，具有低噪聲及低阻抗/
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新型高功率高速870nm紅外發(fā)射器（Vishay）

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc.推出具有38o 寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴大了其光電子產(chǎn)品組合。通過(guò)其獨特設計的鏡頭，使TSFF5510 具有38o 的視角范圍，與標準的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。 ???? 　　寬視角、高達 1 A 的功率輸出及高速等特點(diǎn)使 TSFF5510 紅外發(fā)射器非常適合如紅外線(xiàn)收費及無(wú)線(xiàn)音頻傳輸系統等室外數據傳輸應用中的紅外線(xiàn)音、視頻數據傳輸，這些應用通
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Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

  • 　　Vishay推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。 　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅動(dòng)電壓下具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉換器應用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98
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Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A-200A高額定電流的新系列半橋IGBT模塊

  • 　　Vishay Intertechnology宣布推出采用業(yè)界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標準及超快速度下實(shí)現高開(kāi)關(guān)工作頻率。 　　日前推出的這八款新器件采用可滿(mǎn)足各種應用需求的三種不同 IGBT 技術(shù)。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標準穿通 (PT) IGBT 技術(shù)，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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