Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
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時(shí)間：2010-04-27
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/108425.htm新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠實(shí)現超精細、亞微米的節距工藝，將業(yè)內P溝道MOSFET所能實(shí)現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導通電阻分別為32 m?、46m?、65m?和120m?。
Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)，器件的芯片級封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內提供了超低導通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導通電阻則很相近，從而為其他產(chǎn)品功能騰出空間，或是使終端產(chǎn)品變得更小。
MOSFE的低導通電阻意味著(zhù)負載、充電器和電池開(kāi)關(guān)中更低的壓降，使智能手機、PDA和MP3播放器等個(gè)人手持設備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長(cháng)。
MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規范，符合RoHS指令2002/95/EC。
Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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