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vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區
Vishay推出采用三種標準芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
- 日前，Vishay推出具有三種標準芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應時(shí)間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。 由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝，這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩定性，甚至在長(cháng)期及寬泛的溫度范圍內也是如此，這可在汽車(chē)電子設備、工業(yè)電子設
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Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無(wú)鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動(dòng)計算、移動(dòng)通信、消費類(lèi)、工業(yè)及醫療應用的便攜式電子設備中節省板面空間，以及提供 ESD 保護。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
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Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時(shí)，該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）（額定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
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Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類(lèi)器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專(zhuān)有結構將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
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Vishay最新3V紅外接收器系列具更高靈敏度
- 日前，Vishay宣布利用可在光線(xiàn)較低的情況下將器件靈敏度提高一倍的新一代IC升級其3V紅外接收器的性能。該IC是IR接收器性能的主要決定因素之一，此外還有光電二極管及光封裝本身。靈敏度會(huì )直接影響接收器的接受范圍，并且在大多數紅外接收器應用中極為重要。 憑借新器件實(shí)現的進(jìn)一步改進(jìn)包括器件工作電流降低了70%，為0.35mA;2.5V～5.5V的更廣泛電壓范圍;更出色的EMI及ESD抗擾性。從本月開(kāi)始，該新型IC將成為所有采用通孔封裝的Vishay3V及5V紅外接收器的標準功能。這些更新的器件可在
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Vishay推出長(cháng)壽命CLCC-6陶瓷封裝SMD LED
- Vishay推出采用CLCC-6扁平陶瓷封裝的第一個(gè)高強度黃色、淡黃色及白色功率SMDLED系列，該系列LED具有40K/W或60K/W的低熱阻以及2800mcd～9000mcd的高光功率，主要面向對熱敏感的應用。 憑借僅0.9mm的超薄厚度，VLMK62,VLMY62,及VLMW62器件的CLCC-6扁平陶瓷封裝允許使用額外電流驅動(dòng)，以實(shí)現最大光輸出，同時(shí)可保持最長(cháng)50,000小時(shí)的較長(cháng)使用壽命，從而使它們在熱管理為關(guān)鍵考慮因素的應用中成為理想光源。 這些新型LED專(zhuān)門(mén)針對汽車(chē)與運輸、消
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Vishay推SMD紅外接收器模塊TSOP85..系列
- VishayIntertechnology,Inc.宣布推出具有Vishay最高敏感度/尺寸比的新系列表面貼裝(SMD)紅外接收器模塊。新型TSOP85..系列器件可在紅外遙控、數據傳輸及光障應用中實(shí)現遠距離操作，主要用于需要超薄、超小型元件的便攜式系統。典型的終端產(chǎn)品包括小型手持式設備，例如筆記本電腦、數碼相機與視頻設備、音樂(lè )與視頻播放器及導航設備。 在光模塊中，縮小封裝尺寸將減小透鏡大小，從而可降低敏感度以及縮短作用距離。但TSOP85..系列器件通過(guò)添加另一個(gè)透鏡及光敏二極管抵消了這種影響
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Vishay推新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò )
- 日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò )，該器件在0℃～+60℃時(shí)具有
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個(gè)參數是低失真音頻信號開(kāi)關(guān)的理想參數。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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Vishay 推出超高電容范圍新型HE3液體鉭高能電容器
- Vishay 推出在市場(chǎng)上所有類(lèi)似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3 采用含 SuperTan 技術(shù)的獨特封裝設計，可在高能應用中提高可靠性及性能。 Vishay 的 HE3 專(zhuān)門(mén)針對高可靠性航空電子及軍用設備中的能量存儲及脈沖功率應用而進(jìn)行了優(yōu)化，該器件采用密封的純鉭封裝，可在高壓力及惡劣環(huán)境中使用。 該設計采用可提高可靠性及性能的獨特雙密封技術(shù)，并且具有 3300F～72000F 的電容范圍，在所有液體鉭電容器中，這是每單位體積的最高電容。通過(guò)利用 Vishay 業(yè)經(jīng)驗證
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Vishay HE3 液體鉭高能電容器 電容器
Vishay推白光LED驅動(dòng)器具備多種保護功能
- 日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出專(zhuān)為白光LED應用而優(yōu)化的兩款新型1.25MHz電流模式升壓轉換器。新型SiP12510與SiP12511器件具有2.5V～6.0V的輸入電壓范圍，SiP12510的輸出電壓最高為17V，SiP12511的最高為28V。 采用SOT23-6封裝的這兩款新型器件提供了需要最少外部元件的小型LED驅動(dòng)解決方案。SiP12510與SiP12511均配有內部集成電
- 關(guān)鍵字： Vishay 電子 LED驅動(dòng) 發(fā)光二極管 LED
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