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vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區
Vishay發(fā)布大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網(wǎng)站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示，幫助客戶(hù)了解在應用中使用這種電感器的好處。 視頻演示顯示，當電流增大時(shí)，采用其他技術(shù)的電感器會(huì )硬飽和，導致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和，使得感值能夠緩慢地滾降。 Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰，而不會(huì )出現硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測試，充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。 為盡可能
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Vishay推出超小型雙向對稱(chēng)單線(xiàn)ESD保護二極管
- 日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(chēng)(BiSy)單線(xiàn)ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線(xiàn)、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。 VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機、數碼相機、MP3播放器和手機等設備中進(jìn)行有源ESD保護時(shí)，只需要很小的電路板空間。
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Vishay推出Bulk Metal箔電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(未受潮)的工廠(chǎng)壽命穩定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時(shí)間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的節距工藝，將業(yè)內
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Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。 與市場(chǎng)上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進(jìn)的導熱結構使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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Vishay推出1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。 今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達200A，工作溫度為-55℃～+105℃。 TVS器件可用來(lái)保護通信和普通應用中的敏感設備，
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Vishay 推出循環(huán)壽命長(cháng)達兩百萬(wàn)次的面板電位計
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟、長(cháng)壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。 標準的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長(cháng)達2百萬(wàn)次循環(huán)。對設計者來(lái)說(shuō)，P11L的長(cháng)壽命可減少對替換零件的需求，提高可靠性和降低維護成本。 Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調單元、加工機械、醫療系統、X光設備、卡車(chē)和拖車(chē)，以及軍用和航天系統中的CMOS放大器增益、
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Vishay發(fā)布業(yè)界首個(gè)系列超小型SMD紅外接收器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遙控系統的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個(gè)采用兩個(gè)光敏二極管及專(zhuān)利技術(shù)內部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm。TSOP75xxxW采用無(wú)鏡片設計，實(shí)現了業(yè)界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°寬的角度內，輻照度為0.3mW/m2～0.7mW/m2。 今天發(fā)布的器件中有三款是自動(dòng)增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用紅外遙控數據格式。TSOP7
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Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹(shù)脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙霧探測、光柵中的探測器，以及各種消費類(lèi)和工業(yè)應用中的數據傳輸進(jìn)行了優(yōu)化。 VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二極管具有與紅外發(fā)射器相匹配的日光阻斷濾波器，例如波長(cháng)為870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
- 關(guān)鍵字： Vishay 二極管
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