東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容。“U-MOS VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。

　　隨著(zhù)快速充電器的普及和發(fā)展，市場(chǎng)需要更高性能的用于次級側整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結構工藝，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導通電阻和高速性能。該結構降低了“RDS(ON) * Qsw”[2]的性能指標，改善了開(kāi)關(guān)應用。通過(guò)減小輸出電荷，實(shí)現輸出損耗改善，有助于提高裝置效率。而且，對4.5V邏輯電平驅動(dòng)的支持使控制器IC無(wú)緩沖驅動(dòng)成為可能，有助于降低系統功耗。此外，這些新產(chǎn)品可應對USB 3.0相關(guān)應用所需的高輸出和高電壓電源。新的MOSFET適合于一系列應用，包括服務(wù)器和通信設備所需的快速充電器、開(kāi)關(guān)式電源以及直流-直流轉換器等。

　　新MOSFET的主要特性：

　　主要特性

　　·支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)

　　·支持低導通電阻和高速性能的業(yè)界領(lǐng)先[1]產(chǎn)品

　　Notes

　　[1] In the category of products with the same ratings, as of January 11, 2017. Toshiba survey.

　　[2] RDS(ON) ：漏源極導通電阻

　　Qsw：柵極開(kāi)關(guān)電荷