東芝推出具備改進(jìn)的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級結N溝道功率MOSFET

　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級結N溝道功率MOSFET?！癉TMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超結結構，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%。 該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設備的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動(dòng)。

　　新MOSFET產(chǎn)品陣容及主要規格：