意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車(chē)級功率MOSFET管

　　意法半導體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車(chē)系統電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車(chē)廠(chǎng)商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車(chē)零配件大廠(chǎng)電裝株式會(huì )社選用。

　　STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車(chē)電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開(kāi)關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時(shí)將頂部的源極曝露在外面，以進(jìn)一步提升散熱效率，這樣設計讓內部芯片有更高的額定輸出電流，提高功率密度，讓設計人員能夠研發(fā)更小的電控單元，而無(wú)需在功能、性能和可靠性之間做出取舍。

　　新產(chǎn)品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的最大漏極電流120A，最大導通電阻分別為1.5 m?和3.0 m?，保證高能效，簡(jiǎn)化系統熱管理。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC，器件本身電容很低，有助于在高速開(kāi)關(guān)時(shí)提高能效。

　　這兩款40V MOSFET器件是意法半導體一個(gè)新產(chǎn)品家族的首批產(chǎn)品，采用意法半導體的STripFET? F6技術(shù)和槽柵結構，額定電流和電壓范圍寬廣，適用于汽車(chē)產(chǎn)品。新MOSFET可以用于極其惡劣的工作環(huán)境，包括最高175°C的發(fā)動(dòng)機艙。這些產(chǎn)品100%經(jīng)過(guò)雪崩額定值測試，其封裝的可潤濕側翼引線(xiàn)可實(shí)現最佳焊接效果，100%支持自動(dòng)光學(xué)檢查。

　　STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過(guò)AEC-Q101認證，即日上市。此外，該產(chǎn)品家族今年還將推出STripFET F7產(chǎn)品。

　　如需了解更多產(chǎn)品詳情，請訪(fǎng)問(wèn)www.st.com/mosfets