功率MOSFET的結構,工作原理及應用

本文將介紹功率MOSFET(場(chǎng)效應管)的結構、工作原理及基本工作電路。

什么是MOSFET(場(chǎng)效應管)

“MOSFET(場(chǎng)效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場(chǎng)效應管)(Power MOSFET(場(chǎng)效應管))是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。

MOSFET(場(chǎng)效應管)的結構

圖1是典型平面N溝道增強型MOSFET(場(chǎng)效應管) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底(圖la)，在其面上擴散了兩個(gè)N型區(圖lb)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiQ2)絕緣層(圖lc)，最 后在N區上方用腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內做成三個(gè)電極：G(柵極)、S(源極)及D(漏極)，如圖1d所示。

從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個(gè)PN結。一般情況下，襯底與源極在內部連接在一起。

圖1是N溝道增強型MOSFET(場(chǎng)效應管)的基本結構圖。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開(kāi)關(guān)特性等有 不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。圖2是一種N溝道增強型功率MOSFET(場(chǎng)效應管)的結構圖。雖然有不同的結構，但其 工作原理是相同的，這里就不一一介紹了。

MOSFET(場(chǎng)效應管)的工作原理
要使增強型N溝道MOSFET(場(chǎng)效應管)工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖3所示（上面↑）。

若先不接VGS(即VGS＝0)，在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處于反向，因此漏源之間不能導電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時(shí)可以將柵極與襯底看作電容器的兩個(gè)極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當加上VGS時(shí)，在絕緣層和柵極界面上感應出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應出負電荷(如圖3)。這層感應的負電荷和P型襯底中的多數載流子(空穴)的極性相反，所以稱(chēng)為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區連接起來(lái)形成導電溝道。當VGS電壓太低時(shí)，感應出來(lái)的負電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時(shí)，漏源之間仍然無(wú)電流ID。當VGS增加到一定值時(shí)，其感應的負電荷把兩個(gè)分離的N區溝通形成N溝道，這個(gè)臨界電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓(或稱(chēng)閾值電壓、門(mén)限電壓)，用符號VT表示(一般規定在ID＝10uA時(shí)的VGS作為VT)。當VGS繼續增大，負電荷增加，導電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線(xiàn)性關(guān)系，如圖4所示。此曲線(xiàn)稱(chēng)為轉換特性。因此在一定范圍內可以認為，改變VGS來(lái)控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。

由于這種結構在VGS＝0時(shí)，ID＝0，稱(chēng)這種MOSFET(場(chǎng)效應管)為增強型。另一類(lèi)MOSFET(場(chǎng)效應管)，在VGS＝0時(shí)也有一定的ID(稱(chēng)為IDSS)，這種MOSFET(場(chǎng)效應管)稱(chēng)為耗盡型。它的結構如圖5所示，它的轉移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓(ID＝0)。

耗盡型與增強型主要區別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應出較多的負電荷，即在兩個(gè)N型區中間的P型硅內形成一N型硅薄層而形成一導電溝道，所以在VGS＝0時(shí)，有VDS作用時(shí)也有一定的ID(IDSS)；當VGS有電壓時(shí)(可以是正電壓或負電壓)，改變感應的負電荷數量，從而改變ID的大小。VP為ID＝0時(shí)的-VGS，稱(chēng)為夾斷電壓。

除了上述采用P型硅作襯底形成N型導電溝道的N溝道MOSFET(場(chǎng)效應管)外，也可用N型硅作襯底形成P型導電溝道的P溝道MOSFET(場(chǎng)效應管)。這樣，MOSFET(場(chǎng)效應管)的分類(lèi)如圖7所示。

　　耗盡型：N溝道(圖7a)；P溝道(圖c)；
　　增強型：N溝道（圖b)；P溝道(圖d)。

為防止MOSFET(場(chǎng)效應管)接電感負載時(shí)，在截止瞬間產(chǎn)生感應電壓與電源電壓之和擊穿MOSFET(場(chǎng)效應管)，一般功率MOSFET(場(chǎng)效應管)在漏極與源極之間內接一個(gè)快速恢復二極管，如圖8所示。

功率MOSFET(場(chǎng)效應管)的特點(diǎn)
功率MOSFET(場(chǎng)效應管)與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：

1. MOSFET(場(chǎng)效應管)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級，電路較簡(jiǎn)單；
2. 輸入阻抗高，可達108Ω以上；
3. 工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高(開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開(kāi)關(guān)損耗??；
4. 有較優(yōu)良的線(xiàn)性區，并且MOSFET(場(chǎng)效應管)的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；
5. 功率MOSFET(場(chǎng)效應管)可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流電阻。
   

功率MOSFET(場(chǎng)效應管)典型應用電路

1．電池反接保護電路
電池反接保護電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結反接無(wú)電壓降，但在正常工 作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導通電阻低的增強型N溝道MOSFET(場(chǎng)效應管)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON）約為0.04Ω，則在lA時(shí)約為0.04V。這時(shí)要注意在電池正確安裝時(shí)，ID并非完全通過(guò)管內的二極管，而是在VGS≥5V時(shí)，N導電溝道暢通(它相當于一個(gè)極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負)。而當電池裝反時(shí)，MOSFET(場(chǎng)效應管)不通，電路得以保護。

2．觸摸調光電路
一種簡(jiǎn)單的觸摸調光電路如圖10。當手指觸摸上觸頭時(shí)，電容經(jīng)手指電阻及100k充電，VGS漸增大，燈漸亮；當觸摸下觸頭時(shí)，電容經(jīng)100k及手指電阻放電，燈漸暗到滅。

3．甲類(lèi)功率放大電路
由R1、R2建立VGS靜態(tài)工作點(diǎn)(此時(shí)有一定的ID流過(guò))。當音頻信號經(jīng)過(guò)C1耦合到柵極，使產(chǎn)生-△VGS，則產(chǎn)生較大的△ID，經(jīng)輸出變壓器阻抗匹配，使4～8Ω喇叭輸出較大的聲功率。圖ll中Dw為9V穩壓二極管，是保護G、S極以免輸入過(guò)高電壓而擊穿。從圖中也可以看出，偏置電阻的數值較大，因為柵極輸入阻抗極高，并且無(wú)柵流。

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