飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅動(dòng)器

能夠驅動(dòng)工業(yè)應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET

FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成，
為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應用中驅動(dòng)高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和FOD3181 (0.5A) 具有200ns (最 大) 的上升/下降時(shí)間，能夠迅速開(kāi)啟/關(guān)斷MOSFET以減小開(kāi)關(guān)損耗。FOD3180具有高達2A的峰值輸出電流，毋須額外的功率放大線(xiàn)路便可直接驅動(dòng)寬范圍的MOSFET。在太陽(yáng)能逆變器、高性能不間斷電源 (UPS)、DC/DC轉換器，以及等離子平板顯示器 (PDP) 等應用中，這些隔離MOSFET驅動(dòng)器是提高系統效率和可靠性的最佳選擇。它們還豐富了飛兆半導體提供的功率優(yōu)化產(chǎn)品，為設計人員提供從毫瓦至千瓦的全面解決方案。

飛兆半導體光電產(chǎn)品戰略市場(chǎng)經(jīng)理John Constantino稱(chēng)：“FOD3180和FOD3181光隔離MOSFET柵極驅動(dòng)器為飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列提供了關(guān)鍵的‘隔離器件’，將低功耗邏輯產(chǎn)品與高功率分立MOSFET橋接起來(lái)。飛兆半導體的整體功率解決方案使設計人員能夠利用我們通過(guò)全球功率資源中心 (Global Power ResourceTM) 提供的在線(xiàn)設計工具、設計中心、評估板以及其它技術(shù)，對其供應鏈進(jìn)行精簡(jiǎn)化?！?

FOD3180和FOD3181的其它可靠性功能包括： 5000V的額定隔離電壓可以滿(mǎn)足大多數安全認證標準；在電壓達到使能狀態(tài)時(shí)才導通的欠壓閉鎖功能，從而保護MOSFET；以及具有故障防護絕緣的共面結構。這些器件還具有較寬的工作電壓 (最大20V)，而且其PMOS上拉晶體管和NMOS下拉晶體管提供17V的信號擺幅 (VCC - VEE)。

FOD3180和FOD3181備有8腳DIP封裝形式，可滿(mǎn)足包括260C回流焊功能的RoHS要求。這些無(wú)鉛產(chǎn)品能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。