飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專(zhuān)利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類(lèi)型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低的柵極電荷 (Qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(FOM)，因而在PDP系統中能獲得更低的傳導損耗和出色的開(kāi)關(guān)性能。器件極低的導通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200V 或 250V的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的D2PAK封裝中。PowerTrench MOSFET的另一個(gè)優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開(kāi)關(guān)瞬態(tài)響應，有助于提高系統的可靠性。

　　飛兆半導體功率產(chǎn)品部副總裁Taehoon Kim 表示：“飛兆半導體的FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有領(lǐng)先的FOM及采用緊湊的D2PAK封裝，非常適合于PDP應用中的路徑開(kāi)關(guān)。這些器件經(jīng)過(guò)量身度做，可為纖巧的PDP板設計提供高電流處理能力和節省占位空間的封裝。飛兆半導體這項產(chǎn)品的推出再次彰顯了其決心和能力，為客戶(hù)解決最緊迫的應用問(wèn)題?！?/P>

　　FDB2614 和 FDB2710的主要功能和優(yōu)勢包括：