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放大器設計:晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區別

- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識,這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管:BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類(lèi)似于繼電器,因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi),這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構建許多有
- 關(guān)鍵字: 放大器 晶體管 MOS BJT
RS瑞森半導體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應用

- 開(kāi)關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置,也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管,控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率,來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。開(kāi)關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置,也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管,控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率,來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長(cháng)中,開(kāi)關(guān)電源憑借其70%~
- 關(guān)鍵字: 瑞森半導體 MOS 開(kāi)關(guān)電源
基于英飛凌數位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

- 隨著(zhù)USB PD產(chǎn)品的廣泛應用與普及化,Infineon推出全新數位共振返馳式PWM電源控制芯片,此一架構除較現行客戶(hù)常使用之ACF架構更具競爭力,在電路設計上相對容易,還可減少元件數量,且數位化的設計界面可滿(mǎn)足不同輸出瓦數的產(chǎn)品應用,提高在設計上的靈活度與可靠性。同時(shí)搭配Cypress PD控制芯片,借由數位控制與參數設定功能來(lái)改變輸出電壓,藉以符合各種不同產(chǎn)品的應用。同時(shí)Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片,可大幅度提高效率與功率密度的表現,更可以減少客戶(hù)的產(chǎn)品設計與開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字: Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
MOS管的Miller 效應

- 本文對于 MOS 管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現象進(jìn)行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實(shí)現電源的緩啟動(dòng)。01 Miller效應一、簡(jiǎn)介MOS管的米勒效應會(huì )在高頻開(kāi)關(guān)電路中,延長(cháng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統穩定性,可謂是臭名昭著(zhù),各大廠(chǎng)商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀(guān)察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形??梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個(gè)平坦的小臺階。這就是彌勒效應所帶來(lái)的 MOS 管驅動(dòng)電壓波
- 關(guān)鍵字: MOS Miller
場(chǎng)效應管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導通

- 1、放大電路場(chǎng)效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場(chǎng)效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場(chǎng)效應管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉換成漏極電壓,并影響放大倍數Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛,如下圖是主要是由場(chǎng)效應管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: MOSFET MOS 場(chǎng)效應管
開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗,如何減少MOS管損耗

- 一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源(SwitchModePowerSupply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉換裝置,是電源供應器的一種。其功能是將一個(gè)位準的電壓,透過(guò)不同形式的架構轉換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設備,例如個(gè)人電腦,而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
- 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSFET
寬禁帶生態(tài)系統:快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

- 寬禁帶?材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無(wú)二的生態(tài)系統,包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅動(dòng)器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建??梢赃M(jìn)行系統級仿真
- 關(guān)鍵字: IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后,為滿(mǎn)足客戶(hù)更廣的應用范圍及更低的價(jià)格需求,金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內置高壓MOS且性?xún)r(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器,內置高壓功率MOS,最大輸出功率達20W,待機功耗<75mW,具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流,可在實(shí)現低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿(mǎn)載工作時(shí),PWM開(kāi)關(guān)頻率固定;降低負載后,進(jìn)入綠色模式,開(kāi)關(guān)頻率降低;在空載和輕載時(shí),
- 關(guān)鍵字: EMI PWM MOS
如何設計防反接保護電路?
- 如何設計防反接保護電路?-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導通和斷開(kāi)來(lái)設計防反接保護電路,由于功率MOS管的內阻很小,解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字: mos
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