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X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng )180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

舞臺功放MOS管改裝介紹

  • 以ODL牌QSA-2400專(zhuān)業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對應電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
  • 關(guān)鍵字： 介紹  改裝  MOS  功放  舞臺  

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開(kāi)關(guān)器件

  • 英飛凌科技推出其首個(gè)專(zhuān)用于空間和航空應用而設計的電源開(kāi)關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類(lèi)拔萃的性能，可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統設計。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOS  

舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

  • 以ODL牌QSA-2400專(zhuān)業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對應電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
  • 關(guān)鍵字： 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

基于C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來(lái)出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為T(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
  • 關(guān)鍵字： C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路    

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅動(dòng)電路及工作原理分析

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
  • 關(guān)鍵字： 電路  工作  原理  分析  驅動(dòng)  脈沖  C-MOS  與非門(mén)  發(fā)光二極管  

采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

  • 采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來(lái)出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
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可設定10~100秒的長(cháng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路及工作原理

  • 電路的功能若要用555芯片組成長(cháng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(cháng)CR時(shí)間常數，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門(mén)限電壓，比較器無(wú)法驅動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
  • 關(guān)鍵字： 工作  原理  電路  定時(shí)  時(shí)間  C-MOS  設定  

SJ-LDMOST中的襯底輔助耗盡效應

  • 本文分析了SJ-LDMOST中襯底輔助耗盡效應的產(chǎn)生機理。文中將業(yè)界消除襯底輔助耗盡效應的主要方法分成兩類(lèi)，并提出消除襯底輔助耗盡效應的途徑
  • 關(guān)鍵字： SJ-LDMOST  功率集成電路  201112  

V-MOS管測試

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設備，與擁有電力系統和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時(shí)實(shí)現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

MOS場(chǎng)效應管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
  • 關(guān)鍵字： 自制  逆變器  效應  MOS  

高性能、可高壓直接驅動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
  • 關(guān)鍵字： 光耦  可調  死區時(shí)間  MOS  

MOS管短溝道效應及其行為建模

  • 1　引　言　　目前,實(shí)現微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長(cháng)度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性
  • 關(guān)鍵字： 行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS  
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