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可設定10~100秒的長(cháng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路

  • 電路的功能若要用555芯片組成長(cháng)時(shí)間定時(shí)電路,R用高阻值,便可加長(cháng)CR時(shí)間常數,但是,由于內部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門(mén)限電壓,比較器無(wú)法驅動(dòng),為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片,選用高阻
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集成電路布圖設計登記:數量持續上升 中國企業(yè)占優(yōu)

  •   2008年,受到全球半導體市場(chǎng)衰退的影響,中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長(cháng)轉變?yōu)橄禄?。盡管中國以?xún)刃枋袌?chǎng)為主的集成電路設計業(yè)仍實(shí)現了一定增長(cháng),但嚴重依賴(lài)出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場(chǎng)的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng )新,知識產(chǎn)權問(wèn)題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權保護形式,集成電路布圖設計登記應得到更多的關(guān)注。   最近,中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )知識產(chǎn)權工作部和上海硅知識產(chǎn)權交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告,本期刊登部分節選,供業(yè)界研究參考。   本報告數據
  • 關(guān)鍵字: NEC  MOS  集成電路布圖設計  

麻省理工學(xué)院計劃為發(fā)展中國家開(kāi)發(fā)12美元PC

  •   美國麻省理工學(xué)院一個(gè)為第三世界家庭開(kāi)發(fā)廉價(jià)計算機的項目組將以任天堂娛樂(lè )系統為基礎而不是以蘋(píng)果II電腦為基礎進(jìn)行設計。這兩種系統都采用相同的處理器芯片。   一些Mac計算機網(wǎng)站指出,《波士頓先驅報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國際設計峰會(huì )部分內容“教育家庭計算計劃”。這個(gè)計劃的目標是開(kāi)發(fā)成本只有12美元的初級計算機。   雖然設計師之一的27歲研究生Derek Lomas說(shuō)他希望給第三世界的學(xué)校提供類(lèi)似于伴隨他長(cháng)大蘋(píng)果II計算機,但是,他和他的團隊研制的這種計算機
  • 關(guān)鍵字: PC  廉價(jià)  處理器  MOS 6502  

基于LT1641的雙路熱插拔電路設計

  •   0 引言   很多大型數據系統中都會(huì )采用"背板+插件板"結構。這樣,在更換維護插件板時(shí),通常都希望在不影響系統工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí),一般會(huì )產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現象將影響設備的正常工作,甚至導致整個(gè)系統的損害。當一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí),插件板上附加電容的充放電會(huì )給工作背板提供一個(gè)低阻抗,此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì )燒毀連接器和電路元件,或者暫時(shí)使背板陷落以導致系統重啟。這種現象就是熱插拔現象。   所謂熱插拔(Hot
  • 關(guān)鍵字: 電路  熱插拔  MOS  電源  

AB類(lèi)功率放大器驅動(dòng)電路的研究與設計

  •   1 AB類(lèi)功放驅動(dòng)電路設計目標   在實(shí)用電路中,往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率,以驅動(dòng)負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱(chēng)為功率放大電路,簡(jiǎn)稱(chēng)功放。經(jīng)典功率放大器有4種類(lèi)型:A類(lèi),AB類(lèi),B類(lèi)和C類(lèi),他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類(lèi)經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數關(guān)系如圖1所示。      A類(lèi)功率放大器的線(xiàn)性度好,功率傳遞能力差,效率最大值為50%,導通角為360
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  驅動(dòng)電  放大器  MOS  

34063用于DC-DC電源變換的電路

  • 34063一種用于DC-DC電源變換的集成電路,應用比較廣泛,通用廉價(jià)易購。
  • 關(guān)鍵字: 升壓  降壓  功率  MOS  

日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉換存儲器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。此外,相對于現有的非易失存儲器,新的相位轉換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
  • 關(guān)鍵字: MOS  日立  瑞薩  存儲器  

1994年6月,無(wú)錫微電子工程在中國華晶電子集團公司全面通過(guò)國家驗收

  •   1994年6月,我國“七五”電子工業(yè)的頭號工程———無(wú)錫微電子工程在中國華晶電子集團公司全面通過(guò)國家驗收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)正式建成投產(chǎn),代表了我國當時(shí)微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
  • 關(guān)鍵字: 華晶電子  集成電路  MOS  
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