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恩智浦與日立能源合作開(kāi)發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車(chē)SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動(dòng)汽車(chē)廠(chǎng)商采用SiC MOSFET動(dòng)力器件，可比采用傳統硅IGBT獲得更高的續航里程，提高系統整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
如何為開(kāi)關(guān)電源選擇合適的MOSFET？
- DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以?xún)?，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會(huì )變得更加復雜。圖1：降壓同步開(kāi)關(guān)穩壓器原理圖。DC/DC開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側FET和低側FET的降壓同步開(kāi)關(guān)穩壓器，如圖1所示。這兩個(gè)FET會(huì )根據控制器設置的占空比進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩壓器的占空比方
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 MOSFET
Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍
- 基礎半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會(huì )為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進(jìn)行評估。模型還有助于節省時(shí)間和資源，工程師此
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羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線(xiàn)測試1）空載測試驅動(dòng)空載輸出12V，gs驅動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動(dòng)信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動(dòng)信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設備
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電，又用于半橋母線(xiàn)電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動(dòng)④示波器觀(guān)察驅動(dòng)信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線(xiàn)上加上12V電
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非互補有源鉗位可實(shí)現超高功率密度反激式電源設計
- 離線(xiàn)反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時(shí)稱(chēng)為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無(wú)源網(wǎng)絡(luò )可以有效地實(shí)現電壓鉗位，但在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì )降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對鉗位和功率開(kāi)關(guān)采用互補驅動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì )對電源的工作模式帶來(lái)限制（例如，無(wú)法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來(lái)的設計限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴展新應用領(lǐng)域，PI推出首款汽車(chē)級開(kāi)關(guān)電源IC
- 2022年2月15日，Power Integrations召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車(chē)級高壓開(kāi)關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級開(kāi)關(guān)電源IC，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē)，以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應用。在A(yíng)CDC消費類(lèi)應用中積累了深厚經(jīng)驗的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的ACDC應用上
- 關(guān)鍵字： PI MOSFET 電動(dòng)汽車(chē) ACDC 開(kāi)關(guān)電源
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱(chēng)SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內領(lǐng)先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標桿。該器件的應用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機驅
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Power Integrations推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車(chē)級高壓開(kāi)關(guān)IC
- InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著(zhù)減少元件數量，還可大幅提高電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)應用的效率
- 關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車(chē) 牽引逆變器
大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
- 電池供電電機控制方案為設計人員帶來(lái)多項挑戰，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時(shí)的工作；現在，應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： MOSFET
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