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意法半導體(ST)展示最新的智能駕駛解決方案
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日展示了最新的智能駕駛解決方案。隨著(zhù)半導體在先進(jìn)汽車(chē)技術(shù)中的作用日益重要，意法半導體不斷地開(kāi)發(fā)出最先進(jìn)的智能駕駛技術(shù)，包括先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)、設備互聯(lián)通信接口和先進(jìn)的安全/環(huán)保性能。 在先進(jìn)駕駛輔助系統方面，意法半導體展示了一款與以色列公司Autotalks合作開(kāi)發(fā)的車(chē)聯(lián)網(wǎng) (V2X) 通信芯片組。該芯片組整合基帶處理器、主微控制器(MCU)、安全微控制器和V2X通信技術(shù)，利用GP
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e絡(luò )盟進(jìn)一步擴大Pro-Power電纜產(chǎn)品范圍為工業(yè)及戶(hù)外應用提供整卷及定長(cháng)裁剪方案
- e絡(luò )盟日前宣布進(jìn)一步擴展其電纜電線(xiàn)與電纜配件的產(chǎn)品范圍，以Pro-Power為代表，用于設計、教育、制造、維修及維護。超過(guò)5300種的最新并且完整的產(chǎn)品系列包括：設備線(xiàn)纜、數據傳輸電纜、工業(yè)及自動(dòng)化電纜、同軸電纜和電纜配件，用戶(hù)可訪(fǎng)問(wèn)http://cn.element14.com/pro-power 查看并選擇整卷或定長(cháng)裁剪的相關(guān)產(chǎn)品?！ ro-Power 三級(Tri Rated)電纜用途廣泛、易彎曲，其設計適用于電氣柜、開(kāi)關(guān)控制、繼電器、儀表板以及小型電氣設備的接線(xiàn)
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三星發(fā)飆：半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
- 蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠(chǎng)。專(zhuān)家分析認為，此舉并不會(huì )影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠(chǎng)生意。 據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠(chǎng)于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規模相對小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應用處理器(AP)。 蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀(guān)察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì )關(guān)鍵晶圓片底材供應商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線(xiàn)，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線(xiàn)，估與手
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IBM Power服務(wù)器起死回生 英特爾可能腹背受敵
- 據國外媒體報道，去年拋棄x86服務(wù)器業(yè)務(wù)后，IBM已經(jīng)重新調整了其硬件策略。IBM倒貼15億美元也沒(méi)有把Power處理器業(yè)務(wù)嫁出去，該公司已經(jīng)認識到打鐵還需自身硬。雖然它的服務(wù)器系統在某些行業(yè)依然保持著(zhù)很高的利潤，但是IBM昂貴的Power服務(wù)器正在快速失去市場(chǎng)份額。圍繞英特爾處理器構建的系統，在超大規模數據中心和高性能計算市場(chǎng)已經(jīng)將IBM幾乎完全拋在后面。 兩年前，IBM為了扭轉Power服務(wù)器的頹勢。建立了OpenPower開(kāi)源項目，現在擁有約150家會(huì )員企業(yè)。O
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來(lái)革命性變化
- 關(guān)注高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時(shí)提供全面的輸入電壓保護和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng )新的FluxLink™技術(shù)，可設計出無(wú)需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations推出業(yè)界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技術(shù)的充電器接口IC
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產(chǎn)品系列的最新器件CHY103D，這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開(kāi)發(fā)的Quick Charge (QC) 3.0協(xié)議的離線(xiàn)式AC-DC充電器IC。 與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開(kāi)關(guān)IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
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IBM突破7納米制程瓶頸 或左右Power處理器發(fā)展
- IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續了摩爾定律，突破了半導體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術(shù)的后續發(fā)展將會(huì )影響旗下Power系列處理器的規劃藍圖。 據The Platform網(wǎng)站報導，7納米制程芯片背后結合了許多尚未經(jīng)過(guò)量產(chǎn)測試的新技術(shù)，IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴，對何時(shí)能實(shí)際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時(shí)程表。 IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng )新園區的核心地帶 不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
- 關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
- 關(guān)鍵字： FD- SOI FinFET
格羅方德半導體推出業(yè)內首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò )市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無(wú)線(xiàn)設備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries FD-SOI
只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠(chǎng)，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點(diǎn)采用
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因數校正IC可提高電源的輕載性能
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數校正IC，新器件可在整個(gè)負載范圍內提供高功率因數及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續輸出功率要求達405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達900 W的應用，而且在10%負載點(diǎn)到滿(mǎn)載的范圍內其效率均超過(guò)95%，空載功耗則低于60 mW。功率因數在20%負載點(diǎn)可輕松達到0.92以上。 高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： Power Integrations HiperPFSTM-3
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