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WakaWaka Power：太陽(yáng)能移動(dòng)充電配件亮相
- 在欠發(fā)達地區和遭遇自然災害的地方，人們往往無(wú)法獲得正常的照明電源，黑暗臨頭，會(huì )造成人們對黑暗的恐懼，所以光明最為重要，同時(shí)通過(guò)太陽(yáng)能獲取光源是一個(gè)不錯的辦法。Waka Waka Power是一款使用太陽(yáng)能對iPhone、iPad、或是其他智能手機設備進(jìn)行充電的產(chǎn)品，基于上一代Waka Waka Power太陽(yáng)能LED燈研發(fā)而成。 ? WakaWaka Power僅有口袋大小，內置超級節能的太陽(yáng)能電池，其擁有的能源管理系統據稱(chēng)能夠保證高于同類(lèi)產(chǎn)品200%的節能性。除了可對iPhone充
- 關(guān)鍵字： WakaWaka Power 太陽(yáng)能 智能手機
Power Integrations 在中國贏(yíng)得Fairchild Semiconductor專(zhuān)利案
- Power Integrations (納斯達克股票代碼：POWI) 今日宣布，經(jīng)過(guò)兩年多的專(zhuān)利訴訟，蘇州市中級人民法院近日裁定Power Integrations 公司在此訴訟案中未侵犯任何有關(guān)于Fairchild Semiconductor 以及其子公司System General所提出的技術(shù)專(zhuān)利。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations Fairchild
ZigBee聯(lián)盟推具Green Power功能的免電池選項
- 為能源管理、商業(yè)和消費應用產(chǎn)品創(chuàng )建無(wú)線(xiàn)解決方案的全球性企業(yè)生態(tài)系統ZigBee? 聯(lián)盟(ZigBee? Alliance) 今日宣布，該組織已開(kāi)發(fā)出通過(guò)新型Green Power 功能來(lái)為ZigBee 產(chǎn)品供電的最環(huán)保的方法。開(kāi)關(guān)和調光器等多種產(chǎn)品現在可以很容易地使用能量采集裝置來(lái)供電，而不是用電池或交流電源，一種免維護的環(huán)保解決方案由此誕生。該聯(lián)盟將于1月24日舉辦一場(chǎng)以Green Power 為主題的公眾網(wǎng)絡(luò )研討會(huì )。 Green Power 是ZigBee PRO 功能集中的
- 關(guān)鍵字： ZigBee 電池 Green Power
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì )上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現在直接跳過(guò)了20nm節點(diǎn)，直接往14nm、接著(zhù)是10nm發(fā)展。 根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì )議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠(chǎng)即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰，滿(mǎn)足多媒體和便攜應用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗證的設計平臺和設
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
隔離驅動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 門(mén)極驅動(dòng)光耦 隔離驅動(dòng)IGBT Power MOSFET
華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實(shí)現量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性?xún)r(jià)比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據市場(chǎng)需求持續開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字： 華潤微電子 半導體 SOI
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