- 據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長(cháng)40%以上。
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索尼 NAND
- 三星電子一家新的存儲半導體制造廠(chǎng)將于9月投入運營(yíng)。消息人士說(shuō)，新廠(chǎng)編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠(chǎng)。此前三星曾透露說(shuō)，Line-16工廠(chǎng)月產(chǎn)20萬(wàn)片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠(chǎng)，以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來(lái)的對閃存芯片的大量需求。該工廠(chǎng)主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導體，工廠(chǎng)名稱(chēng)為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會(huì )社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠(chǎng)Fab 5正式投產(chǎn)。
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東芝 NAND
- 據韓國媒體報導，2011年第1季NAND Flash市場(chǎng)上，日廠(chǎng)東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來(lái)業(yè)界第1的地位。然而在快速成長(cháng)的行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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三星 Flash
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在A(yíng)ltera QuartusⅡ7．0開(kāi)發(fā)環(huán)境下，實(shí)現ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實(shí)現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 支持Flash的單板計算機嵌入式系統,1 引言 在實(shí)際開(kāi)發(fā)中，為了提高開(kāi)發(fā)效率，大多是采用以一個(gè)與目標板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎上修改移植。在這個(gè)過(guò)程中.除了CPU以外，另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動(dòng)程序的Flash器件?！ ? 系統介紹 采
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嵌入式 系統 計算機 單板 Flash 支持
- 最近舉辦的Semicon West2011半導體業(yè)界大會(huì )上，三星與蘋(píng)果之間的知識產(chǎn)權爭端事件顯然會(huì )是一個(gè)有趣的話(huà)題。目前，三星正準備于8月份開(kāi)始量產(chǎn)蘋(píng)果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠(chǎng)進(jìn)行了升級，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過(guò)三星顯然希望能夠在保住蘋(píng)果 芯片訂單的前提下繼續拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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三星 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場(chǎng)大有要超過(guò)三星之兆，這兩家廠(chǎng)商的市場(chǎng)份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長(cháng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠(chǎng)商?！ ?/li>
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東芝 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(cháng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠(chǎng)商?！?/li>
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NAND 閃存
- 摘要：從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā)，對SPI接口在設計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數據的方法進(jìn)行了分析。并基于A(yíng)TMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設計原理和方法，具有
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T1024 FLASH 1024 25T
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統設計,引言
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫(xiě)入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會(huì )縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個(gè)合理的、針對嵌入式應用
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系統 設計 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買(mǎi)方與賣(mài)方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠(chǎng)商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì )公布。
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平板電腦 NAND
- 行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠(chǎng)最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠(chǎng)一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現供過(guò)于求警訊，日廠(chǎng)爾必達(Elpida)傳出原本爆滿(mǎn)的Mobile RAM產(chǎn)能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠(chǎng)12寸廠(chǎng)產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。
存儲器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(cháng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱(chēng)這款產(chǎn)品是業(yè)內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
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