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手機應用LED閃光燈的幾大優(yōu)勢

  • 現在的照相手機幾乎都可以當作數字相機使用,用戶(hù)當然希望在低照度情況下也能拍攝出高質(zhì)量的照片,因而照相手機...
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把面向數字家庭的Adobe Flash引進(jìn)到MIPS-Based平臺

  •   Q.什么是三重播放集成?   A.TPI公司是一家致力于提供數字家庭視頻平臺解決方案的專(zhuān)業(yè)軟件服務(wù)公司。TPI公司還是官方Adobe 的“Scaling Partner”,為消費電子平臺提供Flash Player 10、AIR和舞臺美術(shù)技術(shù)提供優(yōu)化的端口。我們有25名具有專(zhuān)業(yè)的項目管理和質(zhì)量保障經(jīng)驗的高級工程師團隊,平均具有 24 年的工作經(jīng)驗.    ?   Triple Play Integration 銷(xiāo)售副總裁Mike Nottage   Q.
  • 關(guān)鍵字: TPI  Adobe Flash  

出貨不如預期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

  •   受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數干擾,2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期,及3Q11受過(guò)剩庫存去化影響而使傳統備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買(mǎi)氣依然疲弱,但某些系統客戶(hù)的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對地穩定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。  
  • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND  

AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設計

  • AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于A(yíng)RM7內核的32位MCU。用戶(hù)代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
  • 關(guān)鍵字: AT91SAM7Sxx  VID  Flash    

下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(cháng)或趨緩

  •   在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì )中,SanDisk公司的技術(shù)長(cháng)Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導致NAND閃存的成長(cháng)趨緩。市場(chǎng)原先對閃存的展望都相當樂(lè )觀(guān),但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長(cháng)可能需要再評估。  
  • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  

東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績(jì)可能達不到預期

  •   全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說(shuō),由于PC市場(chǎng)不景氣,美國和歐洲等經(jīng)濟體持續動(dòng)蕩以及日元強勢等原因,該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達不到預期。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  芯片  NAND  

基于TMS320DM642的Flash編程

  • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見(jiàn)的Flash編程方法,然后詳細介紹本文方法的原理,以及DSP系統上電加載原理,最后給出整個(gè)實(shí)現過(guò)程并分析了Flash編程時(shí)需要注意的一些問(wèn)題?! lash編程方法  常見(jiàn)的Flash編程方式  Flash在正常使用
  • 關(guān)鍵字: 編程  Flash  TMS320DM642  基于  

NAND Flash合約價(jià)續跌

  •   據韓國電子新聞報導,計算機用DRAM芯片價(jià)格快速下跌,NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現陡峭跌幅,2個(gè)月內出現2011年來(lái)最低價(jià)2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續問(wèn)世,可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM芯片  

C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM

  • 本文以基于三個(gè)C6201/C6701 DSP芯片開(kāi)發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統為例,介紹這一設計技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字: C6201  C6701  FLASH  DSP    

基于A(yíng)T25T1024 FLASH的高速SPI接口設計

  •   在一些軍用芯片的早期設計中,一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式),而商用 ...
  • 關(guān)鍵字: AT25T1024  FLASH  高速SPI接口  

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據時(shí)代將再度來(lái)臨

  •   隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開(kāi)始遇到瓶頸,業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。
  • 關(guān)鍵字: 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)

  •   隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大,NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開(kāi)始遇到瓶頸,業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。  
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  NAND  

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力,在嵌入式系統中有著(zhù)廣泛的應用。由于程序在DSP內部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度,通常需要將程序從外部加載到DSP內部運行。由于C6000系列DSP均沒(méi)有
  • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

今年游戲主機NAND flash內存密度提高40%

  •   內存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。   今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長(cháng) 41.4%,達 123MB。   
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術(shù)

  •   LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù),用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存,能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數據轉移到閃存中,從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節約相關(guān)的硬件維護成本,從而實(shí)現更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關(guān)鍵字: LSI  NAND  
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