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東芝停電事故或將引領(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

  •   亞洲最大的半導體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示,由于東芝一家芯片工廠(chǎng)因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響,到2011年1月中旬之前,NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì )上漲15%。   
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東芝日本廠(chǎng)跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%

  •   華爾街日報(WSJ)報導,東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì )影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂(lè )播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。   東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1,出貨量?jì)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。   接下來(lái)幾個(gè)月,全球的快閃存儲器市場(chǎng)的供
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串行Flash存儲器的編程解決方案

  • 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法,此方法不僅編程簡(jiǎn)單,且運行
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基于 DSP的嵌入式系統通過(guò)地址映射方式實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě)

  • 基于 DSP的嵌入式系統通過(guò)地址映射方式實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě),1 引言

    在DSP系統的設計中,經(jīng)常要使用片外存儲器擴充系統存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時(shí), 必須把一部分數據,如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中,從而節省DSP芯片內部
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基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計

  • 基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構架的模數混合的FPGA,即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分,解決了傳統模擬電路和FPGA分離給設計帶來(lái)的諸多問(wèn)題,降低了PCB板的制作難度,縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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半導體存儲器廠(chǎng)商恢復大型設備投資

  •   2010年在半導體存儲器業(yè)界,各廠(chǎng)商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此,市場(chǎng)上的份額競爭再次變得激烈起來(lái)。 2008~2009年導致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而,進(jìn)入2010年下半年后,以DRAM為中心、價(jià)格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰。技術(shù)方面,微細化競爭愈演愈烈,以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。   
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Flash單片機自編程技術(shù)

  • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲器模塊
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C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

  • C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時(shí)數字信號處理而設計的數字信號處理器,由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應用于嵌入式實(shí)時(shí)系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器,屬于EEPROM器件,與其它的
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應用材料預估半導體設備市場(chǎng)將保持5%的成長(cháng)率

  •   針對2011年半導體資本支出的趨勢,設備大廠(chǎng)應用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠(chǎng)資本支出將大幅成長(cháng),幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當強勁,預估整體半導體設備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(cháng)幅度。   
  • 關(guān)鍵字: 應用材料  NAND  

預計明年NAND閃存銷(xiāo)售量漲價(jià)跌

  •   集邦科技發(fā)布近日報告稱(chēng),明年全球閃存芯片銷(xiāo)售額將達到215億美元,同比上漲16%,但是其平均價(jià)格將同比下降35%。   集邦科技稱(chēng),新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節性銷(xiāo)售因素影響。到二季度時(shí),閃存市場(chǎng)的供需就會(huì )更加平衡,價(jià)格下降幅度不會(huì )太大。   
  • 關(guān)鍵字: NAND  20nm  

Flash越來(lái)越受到支持

  •   根據Ovum的分析,對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令,Apple將面臨越來(lái)越大的壓力,因為越來(lái)越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。   
  • 關(guān)鍵字: Apple  Flash  

基于CAN總線(xiàn)的大容量漢字火災樓層顯示器設計

全球IC市場(chǎng)喜憂(yōu)參半

  •   根據VLSIResearch發(fā)布的報告,該公司預測2010年度全球IC市場(chǎng)將成長(cháng)32%,2011年度將成長(cháng)8%;2010年度設備市場(chǎng)將成長(cháng)103%,2011年度將成長(cháng)10.6%。該公司認為目前的全球IC市場(chǎng)呈現出一些正面與負面的跡象; 
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用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  •   O 引言  Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長(cháng)期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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