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固態(tài)硬盤(pán)每GB容量?jì)r(jià)格將跌破1美元

  •   1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤(pán)真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門(mén)檻,而根據DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買(mǎi)到固態(tài)硬盤(pán)。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會(huì )進(jìn)一步降低,每 GB將會(huì )不足1美元。DRAMeXchange預計,在那之后超極本、超輕薄本都會(huì )從混合硬盤(pán)過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤(pán),而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著(zhù)Intel Ivy Bridge處
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基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器設計方案

  • 基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器設計方案,摘要:提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法,并完成了設計和仿真。由于市場(chǎng)對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展,因此往往需要對最初的設計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
  • 關(guān)鍵字: 仿真器  設計  方案  在線(xiàn)  Flash  MCU  內部  基于  

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

  • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型,其中NAND型是專(zhuān)為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成,每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè),塊是擦
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一種基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器設計方法

Flash存儲器Am29F040結構分析

  •  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數據,也就是開(kāi)機后執行閃存的程序,并在程序執行的過(guò)程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內部的數據單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨
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并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應用

  • 并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開(kāi)發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導的軟處理器代碼、可直接執行的軟處理器代碼
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基于Flash的大容量高速數據記錄儀設計

  • 基于Flash的大容量高速數據記錄儀設計,現今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面,從ATM 機到手持通訊設備。社會(huì )對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來(lái)越高的要求:大容量,高速度,斷電保護,體積限制等等。當前數據記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
  • 關(guān)鍵字: 記錄儀  設計  數據  高速  Flash  大容量  基于  

大容量FLASH在單片機臺標系統中的應用

  • 1 引 言FLASH是一種兼有紫外線(xiàn)擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)兩者優(yōu)點(diǎn)的新型非易失存儲器。由于它可在線(xiàn)進(jìn)行電可擦除和編程,芯片每區可獨立擦寫(xiě)至少10,000次以上,因而對于需周期性地修改被儲存的代
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全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元

  •   據媒體報道,根據亞洲最大芯片現貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據,2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭,市場(chǎng)份額達到了34.6%。   集邦科技提供的數據顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長(cháng)了大約5%,而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。   集邦科技指出,三星電子
  • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

Hynix今年資本支出將上升20% 半數投入NAND

  •   外電報導,全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續第2季繳出虧損成績(jì)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達1,675億韓元,遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據彭博社調查,分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查,分析師原先預期Hynix Q4
  • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND  

一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用

  • 一種支持ISP的Flash在嵌入式設計中的應用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統開(kāi)發(fā)過(guò)程中,板卡支持包BSP(Board Support Package)的開(kāi)發(fā)是非常重要而又閑難的一個(gè)環(huán)節。因為不能確定硬件系統是否正常丁作,而后續應用開(kāi)發(fā)都是以此為基礎。在實(shí)際開(kāi)發(fā)中,為了提高開(kāi)
  • 關(guān)鍵字: 設計  應用  嵌入式  Flash  ISP  支持  

NAND Flash 在MSP430嵌入式系統中的應用

  • 摘 要 本文實(shí)現了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統中的應用,闡述了NAND FLASH 的使用方法,重點(diǎn)介紹了 ...
  • 關(guān)鍵字: MSP430F149  Flash  Memory  低功耗系統  

蘋(píng)果去年買(mǎi)進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

  •   根據市場(chǎng)研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出,蘋(píng)果公司在上一季買(mǎi)了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著(zhù)這么大的采購量,蘋(píng)果拿到的成本價(jià)格可說(shuō)是出乎意料之外的低。   Sacconaghi 報告指出,蘋(píng)果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋(píng)果購買(mǎi)NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價(jià)格為0.6
  • 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果  NAND  
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