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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
固態(tài)硬盤(pán)每GB容量?jì)r(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤(pán)真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門(mén)檻,而根據DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買(mǎi)到固態(tài)硬盤(pán)。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會(huì )進(jìn)一步降低,每 GB將會(huì )不足1美元。DRAMeXchange預計,在那之后超極本、超輕薄本都會(huì )從混合硬盤(pán)過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤(pán),而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著(zhù)Intel Ivy Bridge處
- 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤(pán) NAND
一種基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器設計方法
- 摘要:提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法,并完成了設計和仿真。 ...
- 關(guān)鍵字: 微控制器 在線(xiàn)仿真 開(kāi)發(fā)系統 Flash SRAM
全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元
- 據媒體報道,根據亞洲最大芯片現貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據,2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭,市場(chǎng)份額達到了34.6%。 集邦科技提供的數據顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長(cháng)了大約5%,而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 集邦科技指出,三星電子
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND
Hynix今年資本支出將上升20% 半數投入NAND
- 外電報導,全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續第2季繳出虧損成績(jì)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達1,675億韓元,遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據彭博社調查,分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查,分析師原先預期Hynix Q4
- 關(guān)鍵字: Hynix NAND
NAND Flash 在MSP430嵌入式系統中的應用
- 摘 要 本文實(shí)現了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統中的應用,闡述了NAND FLASH 的使用方法,重點(diǎn)介紹了 ...
- 關(guān)鍵字: MSP430F149 Flash Memory 低功耗系統
蘋(píng)果去年買(mǎi)進(jìn)了全球NAND閃存的1/4
- 根據市場(chǎng)研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出,蘋(píng)果公司在上一季買(mǎi)了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著(zhù)這么大的采購量,蘋(píng)果拿到的成本價(jià)格可說(shuō)是出乎意料之外的低。 Sacconaghi 報告指出,蘋(píng)果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋(píng)果購買(mǎi)NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價(jià)格為0.6
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 NAND
東芝、爾必達再談?wù)?/a>
- 日系DRAM廠(chǎng)爾必達(Elpida)身陷財務(wù)風(fēng)暴,近期傳出在日本官方作媒下,正與同為日系NAND Flash大廠(chǎng)東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱?。對此東芝和爾必達高層都不予置評。 近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商,且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內存業(yè)者透露,東芝在發(fā)展行動(dòng)裝置上,需要與爾必達Mobile RAM結合,才能打敗美韓陣營(yíng),雙方確實(shí)有接觸洽談?wù)鲜乱?,但東芝對于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高,另外,日本政府亦認為,DRAM市場(chǎng)雖萎縮,但技術(shù)必須傳承,有意促使兩大半導體廠(chǎng)整合。
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
nand-flash介紹
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