下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(cháng)或趨緩

　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì )中，SanDisk公司的技術(shù)長(cháng)Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導致NAND閃存的成長(cháng)趨緩。市場(chǎng)原先對閃存的展望都相當樂(lè )觀(guān)，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長(cháng)可能需要再評估。

　　現有的浸入式光刻工具將能能讓閃存業(yè)者前進(jìn)到小于10nm左右的幾何尺寸，他表示。此外，供應商們也正在努力使用現有晶圓廠(chǎng)工具來(lái)建構3D堆疊NAND串，以進(jìn)一步提升產(chǎn)能和供給量。

　　而在未來(lái)，包括SanDisk在內的芯片制造商都在開(kāi)發(fā)新的3D架構，運用阻抗的變化來(lái)建構更高密度的芯片。但是，這種所謂的電阻式RAM (resistive RAM)將需要EUV工具，他表示。

　　Cedar拒絕透露任何有關(guān)EUV或當前3D芯片研究的具體時(shí)間表。不過(guò)，他表示，芯片制造商預計將推出采用浸入式工具開(kāi)發(fā)的64和128Gb閃存元件。

　　“從可用性和成本角度來(lái)看，今天半導體產(chǎn)業(yè)中，許多人都非常關(guān)注EUV的發(fā)展，但這項技術(shù)將耗資數百萬(wàn)美元。”Cedar表示。

　　據報導，今年一月起便有一些預生產(chǎn)的EUV工具開(kāi)始出貨。而一些報告也指出，EUV工具成本可能高達1.2億美元。

　　但Cedar很樂(lè )觀(guān)：EUV終將成為大家都可負擔得起的方案。他還指出，業(yè)界一直恐懼摩爾定律即將終結，但迄今這仍然沒(méi)有根據。

　　“當處于90nm時(shí)，我們認為要前進(jìn)到56nm非常困難，且這場(chǎng)工藝競賽很可能隨時(shí)結束，”他說(shuō)。

　　但好消息是閃存的需求一直很強勁。2015年以前，閃存的預估復合成長(cháng)率達25%，幾乎是硬盤(pán)存儲的一倍，更遠高于目前成長(cháng)率僅1%的DRAM，他說(shuō)。

　　截至2015年，大約三分之一的NAND位元量將應用在多達11部的智能手機中，Cedar表示。而平板電腦在2015年估計可達3.27億部，預估將消耗另外15%的NAND位元量。

　　“平板電腦代表了一個(gè)從零開(kāi)始，快速成長(cháng)到規模相當龐大的市場(chǎng)，”他說(shuō)。“今天市場(chǎng)上有更多創(chuàng )新產(chǎn)品不斷問(wèn)世，甚至在3~4年都無(wú)法預測到它們會(huì )如此蓬勃發(fā)展，未來(lái)這些產(chǎn)品也將維持其發(fā)展態(tài)勢，”他補充道。

　　他預計固態(tài)硬盤(pán)將消耗25%的NAND位元量，其中用戶(hù)設備為1.33億部，服務(wù)器約1,200萬(wàn)部。其余的NAND方面約有26%會(huì )用在MP3播放器、USB驅動(dòng)和數碼相機中，他表示。