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英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著(zhù)其他各家廠(chǎng)商的腳步，開(kāi)始有了新的進(jìn)度。根據外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門(mén)最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經(jīng)開(kāi)始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(cháng)江存儲3D NAND

電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長(cháng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數成長(cháng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(cháng)江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(cháng)江存儲3D NAND

電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長(cháng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數成長(cháng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(cháng)江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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長(cháng)江存儲：128層3D NAND技術(shù)會(huì )按計劃在今年推出

據證券時(shí)報消息，長(cháng)江存儲CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì )有所波及。但目前長(cháng)江存儲已實(shí)現全員復工，從中長(cháng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì )影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì )按計劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(cháng)江存儲市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(cháng)江存儲將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(cháng)江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢(xún)：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉向下

根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(cháng)收斂至三成，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠(chǎng)華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域穩健可靠的儲存存儲器。
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束？

據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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引領(lǐng)存儲新架構構建數據金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來(lái)

近日，以“數智·未來(lái)”為主題的2019中國數據與存儲峰會(huì )在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領(lǐng)域知名的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶(hù)，本次峰會(huì )旨在幫助企業(yè)和社會(huì )提升數據智能水平，推動(dòng)全球存儲與數據產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì )并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶(hù)案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng )新引領(lǐng)存儲新架構，構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據guru3D的報道，隨著(zhù)NAND閃存技術(shù)的創(chuàng )新發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)TB內存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
關(guān)鍵字： SK 4D NAND 128層

中國首款！長(cháng)江存儲啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團旗下長(cháng)江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲等主流市場(chǎng)應用需求。
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NAND Flash 2020年新戰場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠(chǎng)停產(chǎn)及日韓貿易戰導致存儲器價(jià)格將反轉契機出現，NAND Flash價(jià)格調漲從7月開(kāi)始顯現，而國際大廠(chǎng)之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
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日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長(cháng)期須關(guān)注原廠(chǎng)庫存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長(cháng)，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉，集邦咨詢(xún)分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑，下游
關(guān)鍵字：日韓貿易戰東芝 DRAM/NAND

SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣(mài)

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開(kāi)始銷(xiāo)售。
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停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲器大廠(chǎng)東芝存儲器(TMC)當地營(yíng)運的5座 NAND Flash工廠(chǎng)的營(yíng)運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說(shuō)明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶(hù)可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲器 NAND Flash

NAND閃存連跌一年半減產(chǎn)也阻止不了跌價(jià)

NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，這讓上游NAND廠(chǎng)商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上，群聯(lián)公司董事長(cháng)潘建成也預測NAND閃存價(jià)格已經(jīng)跌破了成本，未來(lái)跌幅會(huì )收窄，需求則會(huì )升溫。
關(guān)鍵字： NAND 減產(chǎn)