MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？

　　MRAM市場(chǎng)可能會(huì )在明年開(kāi)始變得越來(lái)越“擁擠”──開(kāi)發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠(chǎng)制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開(kāi)始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。

　　STT執行長(cháng)Barry Hoberman接受EE Times訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，位于該公司總部的研發(fā)晶圓廠(chǎng)在其技術(shù)商業(yè)化過(guò)程中扮演了關(guān)鍵角色，而從今年初開(kāi)始，STT已經(jīng)達到了可處理超過(guò)40晶圓批次(wafer lots)的能力;他指出，為了最佳化開(kāi)發(fā)周期：“我們已經(jīng)為MRAM所需的磁性元件建造了完整的無(wú)塵室。”

　　MRAM這種新興記憶體技術(shù)已經(jīng)崛起好一段時(shí)間，目前Everspin Technologies是唯一推出商用產(chǎn)品的廠(chǎng)商;但盡管市場(chǎng)上供應商數量有限，Hoberman表示MRAM技術(shù)已經(jīng)演進(jìn)至第三代：“pMTJ就是目前的最新進(jìn)展，而我們已經(jīng)達成。”

　　STT的公司歷史最早可追溯到2001年美國紐約大學(xué)(New York University)教授A(yíng)ndrew Kent所主導開(kāi)發(fā)的一項研究，而該公司是在2007年正式成立，到目前為止已經(jīng)募得1.08億美元的資金，并成長(cháng)為擁有60名員工的企業(yè)。

　　Hoberman指出，MRAM雖然在速度、功耗以及耐久性方面表現優(yōu)異，但與其他記憶體如DRAM的一個(gè)關(guān)鍵差異，是pMTJ MRAM的寫(xiě)入為概略性(probabilistic)而非決定性(deterministic)，因此有一定程度的隨機性(randomness)。這意味著(zhù)當你將資料寫(xiě)入DRAM記憶體單元1兆次，就大概有1兆次的成功寫(xiě)入;但同樣寫(xiě)入1兆次資料至pMTJ MRAM，則會(huì )有幾次是失敗的。

　　“那些失敗的寫(xiě)入是隨機出現，如何處理這種概略性，就是讓MRAM達到所需的性能與可靠度之關(guān)鍵;”Hoberman表示，STT的目標是讓pMTJ MRAM的概略性表現控制在恰當水準，以利用其專(zhuān)有的讀寫(xiě)架構，達到更快的速度、更好的耐久性以及更低功耗。

　　STT的目標是讓pMTJ MRAM的概略性表現控制在恰當水準

　　STT看好MRAM的兩大主流應用──企業(yè)用儲存，以及包括汽車(chē)與手機顯示等嵌入式應用;Hoberman表示，該公司也將開(kāi)發(fā)獨立MRAM元件，并將技術(shù)授權給晶圓代工業(yè)者。市場(chǎng)研究機構Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，STT在技術(shù)開(kāi)發(fā)腳步上雖然稍嫌落后，但因為自有晶圓廠(chǎng)，可望能很快趕上競爭對手。