DRAM微縮到頂！新存儲器MRAM、ReRAM等接班？

　　DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。

　　韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無(wú)法縮減，也可能不適合采用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM和NAND Flash，業(yè)者正全力研發(fā)。

　　兩種新記憶體都是非揮發(fā)性記憶體，切斷電源后資料也不會(huì )消失，速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多，由于內部構造較為簡(jiǎn)單，理論上未來(lái)微縮制程也有較大發(fā)展空間。其中MRAM采用磁阻效應(Magnetoresistance)技術(shù)，研發(fā)業(yè)者有SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)。ReRAM則靠著(zhù)絕緣體的電阻變化，區別0和1，外界認為或許能取代NAND型快閃記憶體(NAND Flash)。

　　日經(jīng)新聞2014年1月1日報導，東芝(Toshiba)將攜手南韓海力士(SK Hynix)預定2016年度量產(chǎn)大幅提高智慧型手機性能的次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”，量產(chǎn)時(shí)間將比美國美光科技(Micron Technology)所計畫(huà)的 2018 年提前了約2年時(shí)間。

　　MRAM研發(fā)可分為三大陣營(yíng)，除了上述的東芝/SK海力士之外，三星電子也正進(jìn)行研發(fā)，而美光則和東京威力科創(chuàng )(Tokyo Electron)等20家以上日美半導體相關(guān)企業(yè)進(jìn)行合作，希望于2016年度確立MRAM的量產(chǎn)技術(shù)、之后并計劃 2018年透過(guò)美光子公司爾必達(Elpida)的廣島工廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)。

　　Market Realist去年4月28日報導，美光科技(Micron Technology)和Sony在國際固態(tài)電路研討會(huì )(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透過(guò)27奈米制程，開(kāi)發(fā)16-Gbit的ReRAM;Sony預定2015年量產(chǎn)ReRAM晶片。專(zhuān)家表示，三星(Samsung)應該也在研發(fā)包括ReRAM的次世代儲存科技。