將光電FET光耦用作一個(gè)線(xiàn)性壓控電位器

光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線(xiàn)性傳輸特性可能成為問(wèn)題(圖1)。為了校正這種非線(xiàn)性，可以采用一種簡(jiǎn)單的反饋機制，使電位器產(chǎn)生一種線(xiàn)性響應(圖2)，本電路使用了兩只光電FET，一只作反饋，另一只則用于需要隔離電位器的應用。將兩只光電FET的輸入端串聯(lián)，就可以保證輸入LED有相同數量的電流。

FET輸出端放50kΩ的電阻，以模擬電位器的響應。電路對設定輸入電壓(用電位器R7調節)和光電FET1的反饋之間的差值做放大。得到的輸出控制光電FET LED中的電流，直到反饋電壓等于輸入電壓時(shí)為止。輸出電壓以線(xiàn)性方式跟隨輸入電壓(圖3)。也許你會(huì )認為相同器件號的光電FET沒(méi)什么區別，但實(shí)際上還是表現出了微小的制造差異。五只H11F3M器件的偏差在3%以?xún)取?/p>