MOS管開(kāi)關(guān)電路設計,用三極管控制會(huì )容易燒壞?
三極管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N溝道和P溝道的,三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E,而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202408/461937.htm對于MOS管,我們在電路設計中都會(huì )遇到,那么應該如何設計一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢?


MOS管開(kāi)關(guān)電路
我們一般會(huì )用一個(gè)三極管去控制,如下圖!

MOS管開(kāi)關(guān)電路
但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn),由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管,如果CD5V的濾波電容過(guò)大,或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái),會(huì )把前端給燒壞!
電流路徑如下:

后端電流路徑

如何改善這個(gè)問(wèn)題呢?
有兩個(gè)方式,一種是在后端串聯(lián)二極管。

防止后端電壓電流串擾的電路
優(yōu)點(diǎn),電路簡(jiǎn)單,BOM成本低!
缺點(diǎn),二極管動(dòng)態(tài)負載電阻大,特別不適合后盾負載變化大的!
另外一種,便是后端串聯(lián)一個(gè)同規格的MOS管!

防止后端電壓電流串擾的電路
優(yōu)點(diǎn),MOS管開(kāi)通電阻極小,對于后端負載電流變化不敏感。
缺點(diǎn),BOM成本高!
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