MOS管驅動(dòng)電流估算

例：FDH45N50F如下參數：

有人可能會(huì )這樣計算：

開(kāi)通電流

帶入數據得

關(guān)斷電流

帶入數據得

于是乎得出這樣的結論，驅動(dòng)電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？

這里必須要注意這樣一個(gè)條件細節，RG=25Ω。所以這個(gè)指標沒(méi)有什么意義。

應該怎么計算才對呢？其實(shí)應該是這樣的，根據產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)速度來(lái)決定開(kāi)關(guān)電流。根據I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數據，和我們線(xiàn)路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時(shí)候，Qg=105nC。如果用1A的驅動(dòng)能力去驅動(dòng)，就可以得到最快105ns的開(kāi)關(guān)速度。

當然這也只能估算出驅動(dòng)電流的數值，還需進(jìn)一步測試MOS管的過(guò)沖波形。在設計驅動(dòng)電路的時(shí)候，一般在MOS管前面串一個(gè)10Ω左右的電阻（根據測試波形調整參數）。

這里要注意的是要用Qg來(lái)計算開(kāi)啟關(guān)斷速度，而不是用柵極電容來(lái)計算。

下面講講MOS管開(kāi)通過(guò)程

開(kāi)始給MOS管Cgs充電，當電壓升到5V時(shí)，Id流過(guò)一定的電流。繼續充電，Id越來(lái)越大，但還沒(méi)完全導通。當Id升到最大電流時(shí)，Id不再變化，Cgs也不再變化。

這時(shí)輸入電壓不給Cgs充電，而是給Cgd米勒電容充電，然后MOS管完全導通。

MOS管完全導通之后，輸入電壓不再經(jīng)過(guò)米勒電容，又繼續給Cgs充電直到Vgs等于輸入電壓10V。

圖中Vgs輸入電壓保持不變即Qgd階段，輸入電壓不給Cgs充電，而是給Cgd米勒電容充電。這是MOS管固有的轉移特性。這期間不變的電壓也叫平臺電壓。

此時(shí)，MOS管的電流最大，電阻最大，根據P=I*I*R，此時(shí)管子消耗的功率最大，發(fā)熱最嚴重，所以盡可能讓平臺電壓工作的時(shí)間很短。

一般來(lái)說(shuō)，耐壓等級越高，MOS管的輸入電容越大，反向傳輸電容Crss越小，米勒效應也相應減小。