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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對電力電子器件維修尤為重要，小編根據所學(xué)及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開(kāi)關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(cháng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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突發(fā)！傳IGBT大廠(chǎng)停止接單

　　IGBT市場(chǎng)缺口高達50%，安森美已不再接單?！　‰S著(zhù)新能源汽車(chē)發(fā)展，IGBT需求量水漲船高，同時(shí)疊加持續一年有余的全球缺芯大背景，車(chē)規級IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月，業(yè)內已發(fā)出預警稱(chēng)，今年下半年IGBT或將成為新能源汽車(chē)生產(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過(guò)MCU?！　∪缃襁~入5月，IGBT供不應求已有愈演愈烈之勢。目前IGBT交貨周期已全線(xiàn)拉長(cháng)到50周以上，個(gè)別料號周期甚至更長(cháng)。需求高漲下，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真實(shí)需求訂單，預計真實(shí)需求是實(shí)際供貨能力的1.5倍，這也意
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全球第一IGBT企業(yè)，訂單與交貨量2:1，交貨周期長(cháng)達50周

　　IGBT作為一種常用的半導體芯片，我們生活中的家用電器、汽車(chē)等商品上面都有，受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影響，IGBT目前也處于緊缺狀態(tài)，尤其是車(chē)規級IGBT更是缺貨嚴重，缺口最大的時(shí)候已經(jīng)超過(guò)50%。全球最大的IGBT企業(yè)依然缺貨　　芯片巨頭英飛凌是全球最大的IGBT供應商，整個(gè)IGBT市場(chǎng)英飛凌占據三分之一份額，訂單量、出貨量都是遙遙領(lǐng)先，就是這樣規模的企業(yè)同樣面臨著(zhù)巨大的供需缺口，目前合作伙伴訂單量和交貨量比例大約為2：1，而且交貨周期長(cháng)達50周，尤其是車(chē)規及IGBT供需缺口還有進(jìn)一步擴大趨
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海外大廠(chǎng)訂單排滿(mǎn)，光伏需求大增加劇IGBT缺貨

　　5月16日報道，最近，海外大廠(chǎng)安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過(guò)來(lái)的消息。士蘭微和華潤微相關(guān)人士表示，由于汽車(chē)和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長(cháng)很快，做不過(guò)來(lái)?！　INNO Research半導體事業(yè)部總經(jīng)理Elvis稱(chēng)，車(chē)規級IGBT下探至0.5，即供需缺口在50%以上。因為車(chē)規級IGBT認證周期很長(cháng)，悠關(guān)生命安全，認證項目復雜且冗長(cháng)，付出成本昂貴，技術(shù)Know-How不易取得，一般快則兩到三年，慢則甚至五到十年之間。因此產(chǎn)能的擴充在近期內無(wú)法緩解終端市場(chǎng)強大需求的短缺，至少在2023年
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海外大廠(chǎng)已停止接單國內IGBT企業(yè)有望填補空缺

　　獲悉，最近，海外大廠(chǎng)安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過(guò)來(lái)的消息。安森美深圳廠(chǎng)內部人士透露消息稱(chēng)，車(chē)用絕緣柵雙極晶體管訂單(IGBT)已滿(mǎn)且不再接單，但不排除訂單中存在一定比例的超額下單。士蘭微(600460)和華潤微相關(guān)人士也表示，由于汽車(chē)和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長(cháng)很快，做不過(guò)來(lái)?！　」湗I(yè)者表示，2021年起車(chē)用半導體中的功率元件、微控制器最為缺乏，且直至2022年情況都未見(jiàn)明顯改善。在IGBT產(chǎn)品中，車(chē)用IGBT的缺口則更大。CINNOResearch半導體事業(yè)部總經(jīng)理Elvi
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歐盟或將加速建筑安裝光伏 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈有望受益

　　獲悉，歐盟的REPowerEU計劃草案提出，2022年屋頂光伏發(fā)電量增加15TWh。該草案還要求歐盟和各國政府今年采取行動(dòng)，將屋頂光伏裝置的安裝申請許可時(shí)間縮短至三個(gè)月，并提出“到2025年，所有新建筑以及能耗等級D或以上的現有建筑，都應安裝屋頂光伏設備”。該計劃有望利好IGBT等逆變器產(chǎn)業(yè)鏈公司?！　?，REPowerEU計劃是歐盟在今年3月8日提出的，價(jià)值高達1950億歐元，旨在讓成員國家在2030年之前逐步消除對俄羅斯化石燃料的依賴(lài)，其中近三分之二的削減可在今年（2022年）底前實(shí)現，結束歐盟
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Power Integrations推出汽車(chē)級IGBT/SiC模塊驅動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車(chē)以及建筑和農用電動(dòng)汽車(chē)提供強大動(dòng)力

深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門(mén)極驅動(dòng)板。新款驅動(dòng)器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力和燃料電池汽車(chē)（包括巴士和卡車(chē)）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車(chē)和牽引逆變器。SCALE EV板級門(mén)極驅動(dòng)器內部集成了兩個(gè)增強型門(mén)極驅動(dòng)通道、相關(guān)供電電源和監控遙測電路。新驅動(dòng)板已通過(guò)汽車(chē)級認證和ASIL B認證，可實(shí)現AS
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基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應力測試分析

IGBT作為功率設備的核心器件，在電力電子工業(yè)領(lǐng)域應用廣泛。為了進(jìn)一步了解電壓應力對IGBT模塊的影響，本文搭建了實(shí)驗樣機（選用3代IGBT采用T型三電平拓撲，額定輸出線(xiàn)電壓315 V，電流230 A，設計輸入電壓范圍500～1 000 V），通過(guò)單脈沖試驗對不同廠(chǎng)家不同型號的IGBT進(jìn)行電壓應力分析并給出解決方案的可行性。
關(guān)鍵字： IGBT 單脈沖電壓應力 202203

子單元長(cháng)期存放對焊接質(zhì)量的影響*

長(cháng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(cháng)短對焊接空洞影響較大，本文分別對兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗對比兩批產(chǎn)品的空洞率，結果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
關(guān)鍵字： IGBT 焊接封裝空洞率子單元 202201

環(huán)旭電子預計在2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(cháng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導體國際大廠(chǎng)的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶(hù)青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(cháng)160%，成長(cháng)率遠高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(cháng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
關(guān)鍵字：環(huán)旭電子電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊

環(huán)旭電子預計2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(cháng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導體國際大廠(chǎng)的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶(hù)青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(cháng)160%，成長(cháng)率遠高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(cháng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器

SCALE-2技術(shù)可優(yōu)化外形尺寸，提高耐壓在3300V以?xún)鹊墓β誓孀兤骱妥儞Q器的效率、性能和可靠性
關(guān)鍵字： PI 雙通道門(mén)機驅動(dòng)器 SCALE-iFlex?Single IGBT

功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調在實(shí)際應用中出現大量外機不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過(guò)對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發(fā)現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
關(guān)鍵字：主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現已提供1700V版本

如今為商用車(chē)輛推進(jìn)系統提供動(dòng)力的節能充電系統，以及輔助電源系統、太陽(yáng)能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴(lài)于高壓開(kāi)關(guān)電源設備。為了滿(mǎn)足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問(wèn)題限制了開(kāi)關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
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ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備，開(kāi)發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著(zhù)節能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT