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在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來(lái)越多的應用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進(jìn)行了輸出功率和開(kāi)關(guān)頻率比較。前言隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制
- 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線(xiàn)性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線(xiàn)鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
比亞迪半導體將發(fā)布新一代高性能IGBT
- 2018年比亞迪半導體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹(shù)立了國內車(chē)規級中高端IGBT芯片標桿。歷時(shí)兩年積累沉淀，比亞迪半導體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著(zhù)西安研發(fā)中心大樓的落成，也標志著(zhù)比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價(jià)值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線(xiàn)，但這筆收購給還給比亞迪帶來(lái)了晶圓車(chē)間、技術(shù)團隊等資源。當時(shí)長(cháng)三角地區是中國半導體制造的重要基地。彼時(shí)這些資
- 關(guān)鍵字： 比亞迪 IGBT
為何智能功率模塊會(huì )盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色
- 1? ?低碳時(shí)代驅動(dòng)功率轉換的變革當前，世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國也提出了碳達峰和碳中和的目標，這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰。因為隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長(cháng)的待機時(shí)間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會(huì )增加工作能耗。這就需要功率轉換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升，因此，近年來(lái)IPM（智能功率器件）開(kāi)始盛行。2? ?適合小功率電機的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調市場(chǎng)為例，全球空調市場(chǎng)的出貨量這兩年約1.5億臺
- 關(guān)鍵字： IPM IGBT
基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應加熱設計
- 電磁感應加熱在小家電市場(chǎng)(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應用，減小系統尺寸，降低系統成本和提高可靠性是越來(lái)越多客戶(hù)的需求。本文設計了一款2.1 kW電磁感應加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect，XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實(shí)現了IPD Protect的快速過(guò)流保護，過(guò)壓保護，過(guò)溫報警和保護，輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過(guò)壓和過(guò)流保護點(diǎn)可以根據系統要求來(lái)調節。同時(shí)，
- 關(guān)鍵字： 感應加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102
電動(dòng)車(chē)用大功率 IGBT 模塊測試解決方案
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等，是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心。功率半導體器件種類(lèi)眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi)，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類(lèi)。根據iHS預測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長(cháng)最強勁的半導體功率器件。增長(cháng)的市場(chǎng)空間被行業(yè)專(zhuān)家拆解成兩個(gè)方面：折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)以及電氣化程度加深帶來(lái)的新增市場(chǎng)。既然新增市場(chǎng)源于電氣化程度的加深，那
- 關(guān)鍵字： IT6862A IT6015D-80-450 電動(dòng)車(chē)用大功率 IGBT 模塊測試
科索為中型機器人控制器和工廠(chǎng)自動(dòng)化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案
- 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠(chǎng)自動(dòng)化設計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開(kāi)放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專(zhuān)門(mén)為機器人控制器和工廠(chǎng)自動(dòng)化定制?；谝粋€(gè)獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個(gè)可配置隔離輸出，其中一個(gè)具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應用供電。RBC300F通過(guò)EN62477-1過(guò)電壓類(lèi)別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時(shí)，通過(guò)減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡(jiǎn)化了系統架構師的設計過(guò)程，同時(shí)降低了成本。RBC3
- 關(guān)鍵字： OVC IGBT COSEL RBC300F 對流冷卻設計
推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)（EV）數量的增加，對創(chuàng )建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長(cháng)，如此便可更快地為車(chē)輛充電。與先前的電動(dòng)汽車(chē)相比，新型電動(dòng)汽車(chē)具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿(mǎn)足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車(chē)充電至80％，行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
GaN 器件的直接驅動(dòng)配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動(dòng)GaN器件可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓撲。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現此類(lèi)拓撲。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門(mén)。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT
一種電動(dòng)汽車(chē)能量回饋下IGBT保護策略?xún)?yōu)化及驗證
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車(chē)股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動(dòng)汽車(chē)在能量回饋時(shí)，動(dòng)力電池高壓繼電器異常斷開(kāi)的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略?xún)?yōu)化方案，快速檢測因動(dòng)力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過(guò)臺架實(shí)驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過(guò)實(shí)車(chē)驗證了該方案的可行性。結果表明，優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線(xiàn)電壓，觸發(fā)保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險?！ ￡P(guān)鍵詞：電動(dòng)汽車(chē)；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： 202007 電動(dòng)汽車(chē) 能量回饋 IGBT
新基建驅動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對工業(yè)市場(chǎng)的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動(dòng)器的能源效率
- 本文將強調出無(wú)論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來(lái)看,工業(yè)傳動(dòng)不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動(dòng)馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來(lái)強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動(dòng)通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開(kāi)發(fā)的碳化
- 關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT
東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設計用于空調、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅動(dòng)。并計劃于今日開(kāi)始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅動(dòng)帶方波輸入信號的無(wú)刷直流電機，無(wú)需PWM控制
- 關(guān)鍵字： IPD IGBT IC
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