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igbt 7 文章 進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區
IGBT驅動(dòng)電路介紹
- IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。篒GBT的開(kāi)通過(guò)程IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，
- 關(guān)鍵字： IGBT 電路設計 驅動(dòng)電路
IGBT如何進(jìn)行可靠性測試？
- 在當今的半導體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現為在產(chǎn)品預期壽命內的長(cháng)期質(zhì)量表現。任何制造商要想維續經(jīng)營(yíng)，必須確保產(chǎn)品達到或超過(guò)基本的質(zhì)量標準和可靠性標準。安森美 (onsemi) 作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認識到，為實(shí)現有保證的質(zhì)量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過(guò)測試確保質(zhì)量”方法，轉而擁抱新的“通過(guò)設計確保質(zhì)量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來(lái)達到最終的質(zhì)量和可靠性水
- 關(guān)鍵字： IGBT 可靠性 測試
必看！IGBT基礎知識匯總！
- 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì )導致Vds很大）IGBT綜合了以
- 關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 基礎知識
IGBT 持續走強，頭部公司紛紛擴產(chǎn)
- 從缺芯潮緩解轉向下游市場(chǎng)需求疲軟，在半導體賽道的周期性寒冬之下，各家企業(yè)相繼采取措施，減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠(chǎng)商度過(guò)危機的主要方式之一。不過(guò)在半導體諸多賽道中，有這樣一個(gè)細分領(lǐng)域，它未受市場(chǎng)景氣度的影響，持續繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場(chǎng)格局根據 IGBT 的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模
- 關(guān)鍵字： IGBT
IGBT IPM實(shí)例：絕對最大額定值
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項目的絕對最大額定值都是絕對不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對最大額定值的解釋基本上與半導體器件相同。?由于絕對最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設計通?；谕扑]工作條件和電氣特性項目中的規格值進(jìn)行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例：絕對最大額定值?首先，為了便于理解后續內容，我們先
- 關(guān)鍵字： IGBT IPM ROHM
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&廣州金升陽(yáng)科技有限公司
- 10月31日，金升陽(yáng)作為EEPW的老朋友也來(lái)到直播間向我們分享了他們這次帶來(lái)的展品以及新的動(dòng)態(tài)。謝工在直播中介紹到，金升陽(yáng)成立于1998年7月，25年來(lái)創(chuàng )造了高品質(zhì)的機殼開(kāi)關(guān)電源、導軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅動(dòng)器、LED驅動(dòng)器等系列產(chǎn)品，其中多個(gè)產(chǎn)品系列已經(jīng)順利通過(guò)了UL、CE、EN60601-1。我們了解到，金升陽(yáng)在近日榮獲UL Solutions授予的中國工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認證證書(shū)及 IEC/UL 6
- 關(guān)鍵字： 金升陽(yáng) AC/DC 電源模塊 DC/DC 業(yè)接口通訊模塊 IGBT
東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)
- 11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線(xiàn)順利下線(xiàn)，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)續航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： IGBT 碳化硅 東風(fēng) 智新半導體
IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動(dòng)光耦合器設計
- 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅動(dòng)光耦合器用于驅動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅動(dòng)功率計算可分為三部分；驅動(dòng)器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動(dòng)器IC和功率半導體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅動(dòng)器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
能實(shí)現更高的電流密度和系統可靠性的IGBT模塊
- 隨著(zhù)全球對可再生能源的日益關(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現更高的電流密度和系統可靠性。自推出以來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點(diǎn)，被廣泛應用于馬達驅動(dòng)，光伏，UPS，儲能，汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機驅動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
- 關(guān)鍵字： Nexperia IGBT
SiC MOSFET 器件特性知多少？
- 對于高壓開(kāi)關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著(zhù)優(yōu)勢。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場(chǎng)效應器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG
充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們
- 如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發(fā)揮所長(cháng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。焊接機許多現代化焊接機使用逆變器，而非焊接變壓器，因為直流輸出電流可以提高焊接工藝的控制精度。更多優(yōu)勢還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機框圖焊接逆變器常用的開(kāi)關(guān)拓撲結構包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT
英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
- 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設計結合高速技術(shù)，以滿(mǎn)足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(cháng)的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動(dòng)汽車(chē)充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統應用。?在分立式封裝
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 650V IGBT
onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動(dòng)IC 應用于工業(yè)馬達控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動(dòng)器，專(zhuān)為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨立的高低驅動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側提供 5
- 關(guān)鍵字： NCD57000 驅動(dòng)器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
具有反向阻斷功能的新型 IGBT
- 新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測量。新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測量。簡(jiǎn)介：應用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開(kāi)關(guān)的典型電路可分為：傳統電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所
- 關(guān)鍵字： IGBT
igbt 7介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條igbt 7!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對igbt 7的理解，并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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