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改變IC材料以適應環(huán)境標準

  • IC提供商采用無(wú)鉛材料將如何影響您的設計隨著(zhù)2006年6月1日的漸漸臨近,“關(guān)于在電子電氣設備禁止使用某些有害物質(zhì)指令”,也就是歐盟的RoHS指令即將生效,設計工程師或他們的IC供應商開(kāi)始采納該指令。幾乎所有的IC生產(chǎn)商都引入了新的無(wú)鉛材料,設計師需要了解這些新材料以及新材料對其產(chǎn)品產(chǎn)生何影響。RoHS指令的主要影響是采用無(wú)鉛引線(xiàn)框的涂層、耐高溫材料,也許還要引入新的“綠色”成型化合物。為滿(mǎn)足無(wú)鉛錫銀銅(SnAgCu)焊料的回流焊要求,波峰回流焊的溫度會(huì )從210℃上升到260℃,IC供應商必須采用滿(mǎn)足新的
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英特爾公司開(kāi)發(fā)超低功耗制程

  •   2005 年 9 月 21 日,北京訊――當前,英特爾公司正致力開(kāi)發(fā)其高性能65 納米(nm)邏輯制程的超低功耗版,以支持面向移動(dòng)平臺和小型設備的超低功耗芯片的生產(chǎn)。這種超低功耗制程將會(huì )是英特爾第二代基于65 納米制造技術(shù)的芯片制程。   英特爾65 納米(1 納米是 1 米的十億分之一)高性能制程較英特爾當前行業(yè)領(lǐng)先的 90 納米制程在功耗和性能方面雙雙勝出。英特爾此種超低功耗65納米的工藝制程為英特爾芯片設計人員提供了更多選擇,以滿(mǎn)足電控設備用戶(hù)對于電路密度、性能及功耗的各種需求。   英特爾
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LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰

  • LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰(2)         假設被測的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉功能的IC,那么由公式可得需要測試的電壓值個(gè)數為:  256(顏色深度)x384(pin數)x2(Dot 翻轉) =196,608  一般的DC測試部件的測試時(shí)間為幾到幾十個(gè)uS,由此可知測試時(shí)間將會(huì )比較長(cháng)。如果IC的色彩深度高一些的話(huà)(65535色),測試時(shí)間根本無(wú)法讓人接受,因此在進(jìn)行此類(lèi)測試時(shí)需要使用數字采樣器(Dig
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低功耗32位微控制器采用ARM9內核

  • 低功耗32位微控制器采用ARM9內核IC Insights的調研報告顯示,到2008年,預計微控制器市場(chǎng)總值將從2004年的120億美元增長(cháng)至160美元。而微控制器市場(chǎng)增長(cháng)最快的領(lǐng)域是32位微控制器細分市場(chǎng),預計到2008年將超過(guò)71億美元(年復合增長(cháng)率約為20%)?! ★w利浦半導體公司在推出32位LPC2000 ARM7標準微控制器的基礎上,最近又推出首個(gè)基于A(yíng)RM9內核、采用90nm工藝制造的系列 32 位微控制器產(chǎn)品LPC3000?! ★w利浦半導體微控制器產(chǎn)品線(xiàn)總監Geoff Lees說(shuō),目前系統設
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LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰

  • LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰LCD顯示器件在中國已有二十多年的發(fā)展歷程,已經(jīng)從最初的以數字顯示為主轉變?yōu)橐渣c(diǎn)陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設備以其低電壓驅動(dòng)、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結構、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡(jiǎn)單等等特點(diǎn)成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?! CD顯示器件種類(lèi)繁多、發(fā)展迅速,從種類(lèi)到原理、從結構到效應、從使用方式到應用范圍差異很大,從測試原理上來(lái)說(shuō)也就會(huì )有一些不同,目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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德州儀器在小區網(wǎng)關(guān)市場(chǎng)上頻傳捷報,碩果累累

  •   TI 業(yè)界領(lǐng)先的 AR7 堪稱(chēng)全球最受好評的 DSL CPE 解決方案 日前,德州儀器 (TI) 宣布其近期在不斷增長(cháng)的小區網(wǎng)關(guān) (RG) 市場(chǎng)上取得了輝煌業(yè)績(jì)。截至第三季度末,TI 預計向市場(chǎng)提供的 DSL CPE 及 CO 端口數量將超過(guò) 1 億,而且自其旗艦 RG 平臺 AR7 片上調制解調器于 2003 年部署以來(lái),其端口發(fā)貨量已達 3 千萬(wàn)件。諸如 AVM、Actiontec、Arcadyan、Aztech Systems Ltd.、NETGEAR、Ne
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高級門(mén)驅動(dòng)器 IC 技術(shù)可提高同步整流器應用的效率

  • 高級門(mén)驅動(dòng)器 IC 技術(shù)可提高同步整流器應用的效率當今眾多高頻率與高效率同步整流器應用均需要強大可靠的門(mén)驅動(dòng)電路,該電路可將具有快速切換轉換及軌對軌輸出電壓擺動(dòng)的高峰值電流傳遞到大型電容性負載中。在大多情況下,設計人員會(huì )添加外部 MOSFET 驅動(dòng)器集成電路 (IC) 來(lái)完成這一任務(wù),這種方法在業(yè)界中非常普遍。 采用全套 MOSFET 制造工藝為出發(fā)點(diǎn)在最初看來(lái)可能是門(mén)驅動(dòng)器 IC 的最佳選擇,但實(shí)際上,采用結合 MOSFET 結構的組合型高速雙極工藝技術(shù)才能達到卓越的性能,并且還可提供 MOSFET 制
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第二代國產(chǎn)多媒體IC“星光移動(dòng)二號”問(wèn)世

  •     昨天,國家移動(dòng)多媒體技術(shù)聯(lián)盟在京隆重推出完全擁有自主知識產(chǎn)權的多媒體技術(shù)芯片“星光移動(dòng)二號”芯片。      負責研發(fā)該芯片的中星微電子副總裁張輝表示,此款芯片的推出,大大降低了手機的制造和使用成本,使得以往只有在昂貴的高端手機中才能支持的娛樂(lè )功能,被廣泛地使用到中低端手機中。此外,該芯片還為平民化的3G業(yè)務(wù)應用奠定了基礎。
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新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布

  •     Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會(huì )議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中,描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項-使用傳統大量CMOS制程技術(shù)與45納米設計規則,在量產(chǎn)條件下建構面積小于0.25平方微米的6晶體管結構SRAM單元。    Crolles2是由飛思卡爾半導體、飛利浦、意法半導體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線(xiàn)曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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亞洲IC設計公司今年平均收入 比2004增22%

  •     環(huán)球資源對中國內地、臺灣地區及韓國174家IC設計公司年度營(yíng)運情況的調查,調查結果顯示今年IC設計公司的平均收入將達到980萬(wàn)美元,比2004年上升22%。   05年具體的平均收入的調查結果是:中國臺灣IC設計公司預計將達到1200萬(wàn)美元,比2004年增加13%;韓國IC設計公司預計將達到800萬(wàn)美元,比2004年增加57%;中國內地IC設計公司將達到800萬(wàn)美元,比2004年增加27%。
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IC Insights 列出今年半導體五大熱門(mén)產(chǎn)品

  •     市場(chǎng)研究公司IC Insights日前發(fā)布報告指出,2005年最熱門(mén)的半導體產(chǎn)品應是工業(yè)/專(zhuān)業(yè)用途的邏輯芯片和 NAND型閃存,而MOS閘門(mén)陣列(gate array) 和NOR型閃存市場(chǎng)則會(huì )出現較大幅度的衰退。    IC Insights這份報告將2005年半導體產(chǎn)品列為“熱門(mén)”和“普通”兩類(lèi)。前5大熱門(mén)產(chǎn)品中,工業(yè)/專(zhuān)業(yè)用途邏輯芯片預期增長(cháng)率最快可達49%,接下來(lái)依序是無(wú)線(xiàn)專(zhuān)業(yè)用途邏輯芯片(增長(cháng)46%)
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近年我國IC企業(yè)集群性增強經(jīng)濟規模高增長(cháng)

  •     近年來(lái),我國以設計自有IC產(chǎn)品為主的設計公司發(fā)展迅速,呈現出集群性增強經(jīng)濟規模高增長(cháng)態(tài)勢, IC設計業(yè)進(jìn)入建立和完善產(chǎn)業(yè)鏈架構階段, IC設計產(chǎn)品開(kāi)發(fā)實(shí)現了中低高多元化共存。2000年-2004年的5年,全國設計業(yè)銷(xiāo)售額的年平均增長(cháng)率為106%,高出世界設計業(yè)同期的81個(gè)百分點(diǎn)左右,比我國 臺灣省設計業(yè)也高出76個(gè)百分點(diǎn)。    中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )副秘書(shū)長(cháng)趙建忠介紹,自1986年北京集成電路設計中心成立以來(lái),到1
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力晶用第二座12英寸廠(chǎng) 將導入90納米制程

  •     6月6日消息,3日力晶12B晶圓廠(chǎng)正式啟用,2000年時(shí)其第一座12英寸廠(chǎng)正式動(dòng)土,董事長(cháng)黃崇仁便許下諾言,未來(lái)投資我國臺灣絕對不會(huì )因經(jīng)濟因素而有所改變,并承諾接下來(lái)每2年要再興建1座全新12英寸廠(chǎng),如今在12A及12B廠(chǎng)相繼完工啟用后,力晶為展現其深耕我國臺灣的決心,未來(lái)將再投入約新臺幣2,000億元(約合人民幣530.2億元)建造第三座及第四座12英寸廠(chǎng),屆時(shí)有高達95%比重用于投資我國臺灣市場(chǎng)。      據港臺
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英飛凌和南亞科技聯(lián)合宣布90納米制程技術(shù)研發(fā)成功并開(kāi)始批量生產(chǎn)

  • 英飛凌科技公司和南亞科技公司近日聯(lián)合宣布,由英飛凌和南亞科技在英飛凌德國德累斯頓研發(fā)中心聯(lián)合開(kāi)發(fā)的90納米DRAM技術(shù)成功通過(guò)認證。兩家公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)的90納米內存產(chǎn)品獲得了主要客戶(hù)的認可,并通過(guò)了英特爾的驗證。在英飛凌公司德累斯頓300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)上,90納米DRAM產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)。作為全球第二個(gè)引進(jìn)90納米技術(shù)的DRAM制造商,英飛凌在5月底之前已經(jīng)成功將其DRAM全球產(chǎn)量的5%從110納米工藝轉換成90納米工藝。英飛凌和南亞科技的合資公司臺灣華亞半導體公司現在已經(jīng)開(kāi)始向90納米技術(shù)轉型。提前采
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專(zhuān)家提出加速發(fā)展我國IC設計業(yè)的五大對策

  •     2004年,全國集成電路設計業(yè)(不包括香港和臺灣地區)的銷(xiāo)售額 為81.5億元,增長(cháng)81.5%,占同期全國半導體銷(xiāo)售額的份額達14.9%,這一銷(xiāo)售額與我國 臺灣省和世界IC設計業(yè)相比,分別是他們的12.3%和3%,差距頗大。    對此,中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )副秘書(shū)長(cháng)趙建忠提出了加速發(fā)展我國IC設計業(yè)的五大對策:    一是,實(shí)施人才工程戰略,建立完善的人才架構和人才成長(cháng) 環(huán)境。    政府應加強
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ic介紹

目錄 一、世界集成電路產(chǎn)業(yè)結構發(fā)展歷程 二、IC的分類(lèi) 常用電子元器件分類(lèi) 集成電路的分類(lèi):   IC就是半導體元件產(chǎn)品的統稱(chēng),包括:   1.集成電路(integratedcircuit,縮寫(xiě):IC)   2.二,三極管。   3.特殊電子元件。   再廣義些講還涉及所有的電子元件,象電阻,電容,電路版/PCB版,等許多相關(guān)產(chǎn)品。 一、世界集成電路產(chǎn)業(yè) [ 查看詳細 ]
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