力晶用第二座12英寸廠(chǎng)　將導入90納米制程

    6月6日消息，3日力晶12B晶圓廠(chǎng)正式啟用，2000年時(shí)其第一座12英寸廠(chǎng)正式動(dòng)土，董事長(cháng)黃崇仁便許下諾言，未來(lái)投資我國臺灣絕對不會(huì )因經(jīng)濟因素而有所改變，并承諾接下來(lái)每2年要再興建1座全新12英寸廠(chǎng)，如今在12A及12B廠(chǎng)相繼完工啟用后，力晶為展現其深耕我國臺灣的決心，未來(lái)將再投入約新臺幣2,000億元（約合人民幣530.2億元）建造第三座及第四座12英寸廠(chǎng)，屆時(shí)有高達95％比重用于投資我國臺灣市場(chǎng)。 

    據港臺媒體報道，3日黃崇仁于12B廠(chǎng)正式啟用典禮中表示，力晶對深耕我國臺灣市場(chǎng)的決心絕對不會(huì )有所改變，雖每年半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟起起落落，不過(guò)再怎樣波動(dòng)，還是會(huì )依照當初規劃每2年左右在我國臺灣興建1座全新12英寸廠(chǎng)，而正式啟用的12B便是對當初承諾的最佳印證。 

    接下來(lái)力晶將在新竹科學(xué)園區第三期興建第三座12英寸廠(chǎng)，而第四座12英寸廠(chǎng)亦希望能建置在新竹附近，黃崇仁表示，力晶第一座12英寸廠(chǎng)（12A）月產(chǎn)能已達4.5萬(wàn)片的滿(mǎn)載水位，至于新啟用的12B廠(chǎng)，估計總投資額將近600億元（約合人民幣159.1億元），擁有1.4萬(wàn)平方公尺面積的無(wú)塵室，預計最大月產(chǎn)能將可達到4萬(wàn)片，年底前12A加上12B 2廠(chǎng)總產(chǎn)能估計可上看7.5萬(wàn)片，2006年更將擴充到約10萬(wàn)片產(chǎn)能。 

    黃崇仁進(jìn)一步指出，力晶當前所有標準型DRAM產(chǎn)品已全數轉至12英寸廠(chǎng)生產(chǎn)，且是全球DRAM廠(chǎng)中唯一1家，因此對力晶而言，可說(shuō)擁有絕佳量產(chǎn)成本效益，而接下來(lái)2座12英寸廠(chǎng)也將同時(shí)專(zhuān)注于NAND型Flash芯片組制造，至于現有的 8英寸廠(chǎng)將逐漸轉為利基型晶圓代工服務(wù)。 

    總經(jīng)理謝再居表示，目前12B廠(chǎng)月產(chǎn)能已達1.5萬(wàn)片，依力晶規劃，2005年底12B廠(chǎng)投片量將由原先2～2.5萬(wàn)片提高至3～3.5萬(wàn)片，而產(chǎn)能擴充到一定程度后，不排除將會(huì )獨自挪出一座12英寸廠(chǎng)全數投產(chǎn)NAND型Flash芯片組，估計未來(lái)半年到1年時(shí)間內，力晶12英寸廠(chǎng)產(chǎn)能將會(huì )有約1萬(wàn)片轉移給瑞薩（Renesas）代工AG-AND型Flash芯片組。 

    至于90納米制程何時(shí)投產(chǎn)，黃崇仁則表示，2005年底會(huì )進(jìn)行試產(chǎn)，2006年將開(kāi)始漸采用90納米量產(chǎn)，然重要的是，即使2005年底還未采用90納米投產(chǎn)DRAM顆粒，但力晶標準型DRAM顆粒包含封裝測試成本，1顆256Mb的DDR顆粒報價(jià)將可低于2美元，謝再居也認為，到2005年底前價(jià)格只要維持在2.5～2.8美元，對力晶來(lái)說(shuō)算是相當不錯。