硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續保持其主導地位”。

　　半導體制造技術(shù)國際會(huì )議“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”于2010年12月6日在美國舊金山開(kāi)幕，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAMSung Advanced Institute of Technology，SAIT)所長(cháng)Kinam Kim在整場(chǎng)演講中率先上臺，充滿(mǎn)自信地發(fā)表了本文開(kāi)篇那番話(huà)。

　　在DRAM和NAND閃存等方面，目前正在探討伴隨制造技術(shù)微細化而出現的多種技術(shù)課題。Kim呼吁與會(huì )人士必須勇敢面對這些課題，并在今后通過(guò)導入多種新技術(shù)來(lái)加以克服。

　　在不少人認為難以微細化至20nm以下工藝的DRAM方面，Kim表示2010～2015年，在4F2構造存儲器單元、硅貫通電極(TSV)以及DRAM芯片上集成光輸入輸出電路等將取得進(jìn)展。并預計接下來(lái)在2020年以后，通過(guò)自旋存儲器(Spin-Based Memory)技術(shù)的實(shí)用化，大容量隨機存儲器將繼續取得進(jìn)步。

　　在有人認為現有浮柵構造同樣會(huì )在20nm工藝前后出現微細化極限的NAND閃存方面，Kim介紹了旨在打破極限的技術(shù)開(kāi)發(fā)工作。首先，要想實(shí)現相當于20nm以下工藝的高集成化，就必須導入三維單元積層技術(shù)。Kim表示，由此“可以利用舊幾代的制造技術(shù)，實(shí)現與普通二維單元微細化至10nm以下工藝范圍時(shí)相當的高集成度”。

　　Kim指出，2015年以后作為三維NAND閃存的后續產(chǎn)品，主角將有可能轉為采用氧化物材料等的新型非易失性存儲器。Kim高度評價(jià)了ReRAM的前景，認為“后NAND閃存的最有力候補是ReRAM。另外，在新一代通用存儲器(Universal Mmemory)中最有希望的估計還是ReRAM”。