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gan.功率元件
gan.功率元件 文章 進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區
GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺
- 全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著(zhù)的性能表現優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應器來(lái)看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過(guò)鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關(guān)鍵字： GaN Systems 氮化鎵
日本新技術(shù)將GaN材料成本降90%
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開(kāi)發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動(dòng)汽車(chē)(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據TrendForce集邦咨詢(xún)研究報告顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規模將從2022年的1.8億美金成長(cháng)到2026年的13.3億美金，復合增長(cháng)率
- 關(guān)鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設計中實(shí)現高效率
- 幾乎所有現代工業(yè)系統都會(huì )用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉化為調節良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著(zhù)全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過(guò)程中的相關(guān)能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務(wù)器等“耗電大戶(hù)”領(lǐng)域的設計人員來(lái)說(shuō)更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數據
- 關(guān)鍵字： ti GaN 圖騰柱 PFC 電源
GaN Systems 與上海安世博能源科技結盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動(dòng)車(chē)應用市場(chǎng)
- 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領(lǐng)導廠(chǎng)商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動(dòng)車(chē)應用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導廠(chǎng)商，擁有完整電源供應器、電動(dòng)車(chē)充電模塊及車(chē)載充電器產(chǎn)品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車(chē)用領(lǐng)域所累積的應用實(shí)績(jì)，與安世博能源科技在高功率電源系統設計及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動(dòng)車(chē)行業(yè)帶來(lái)突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實(shí)現下世代電動(dòng)車(chē)對尺寸微縮、輕
- 關(guān)鍵字： GaN Systems 安世博 氮化鎵 電動(dòng)車(chē)
意法半導體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節能
- 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開(kāi)始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車(chē)電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時(shí)的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 PowerGaN 氮化鎵 GaN
GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設計中實(shí)現高效率
- 幾乎所有現代工業(yè)系統都會(huì )用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉化為調節良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著(zhù)全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過(guò)程中的相關(guān)能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務(wù)器等“耗電大戶(hù)”領(lǐng)域的設計人員來(lái)說(shuō)更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數據
- 關(guān)鍵字： TI GaN PFC
ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
實(shí)測案例：1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測試
- 氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，能夠顯著(zhù)提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對其動(dòng)態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì )得到錯誤結果。傳統氮化鎵器件多用于消費類(lèi)電子市場(chǎng)，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)開(kāi)拓新的應用市場(chǎng)。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠(chǎng)家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場(chǎng)上具有標志性意義，傳統的氮化鎵功率器件最高電壓普
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汽車(chē)芯片，有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
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第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度
- 中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿(mǎn)懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測量系統
- 關(guān)鍵字： 泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
- 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統，以及已普遍用于工業(yè)、數據通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統。與替代技術(shù)相比，這些應用可受益于1
- 關(guān)鍵字： Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關(guān)型 氮化鎵.三相電力系統
EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專(zhuān)利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿易委員會(huì )（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專(zhuān)利組合中的 四項專(zhuān)利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱(chēng)英諾賽科）侵犯。 這些專(zhuān)利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
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